无多普勒展宽光谱技术.pptVIP

* * * * * 第四节 线性无多普勒光谱技术 二、能级交叉光谱技术 1．汉勒效应与能级交叉 1922年，瑞利在一个共振荧光的实验中指出，用偏振光激发的原子所发射的荧光是偏振的． 1923年汉勒(Hanle) 实验证明，外加磁场可以使原子发射的荧光偏振退化－汉勒效应。 汉勒效应是在汞蒸气的共振荧光实验中发现的，其实 验装置如图(a)所示．从汞灯发出的253.7 nm光谱线 第四节 线性无多普勒光谱技术 经偏振器后成为线偏振光，并沿x方向入射到汞原子 样品上．样品池放置在由亥奶霍兹线圈产生的磁场 内，磁场沿z方向。用光电倍增管接收受激原子在y方 向发射的荧光．如果磁场B＝0，根据偶极辐射原理， 如图(b)，感应偶极子在y方向的辐射场分布为零．这 时光电倍增管检测不到信号，然而在磁场B ? 0时，光 电倍增管是有输出的．当磁场缓慢地从-0.5mT变化到 十0.5 mT时，被接收的光强将经历一次变化。以检偏 器的透射轴的取向(夹角?)不同，以零磁场为中心．光 强呈洛仑兹线型或色散线型的方式变化，如图(c)．荧 光的偏振状态从零磁场时的完全偏振到5—10mT时的 完全退偏振，这就是汉勒效应 第四节 线性无多普勒光谱技术 第四节 线性无多普勒光谱技术 从塞曼效应知道，在磁场中原子的能级会产生分裂，所以上述磁场变化时观察到的现象是在一对塞曼能级上发生的现象，磁场B＝0是能级处的交叉点。 与此相似，根据原子理论，原子的支能级可以在B ? 0的磁场中发生交叉．因此常把汉勒效应称为零场能级交叉效应、 除在磁场中发生能级交叉以外，外电场中的斯塔克效应也会导致能级交叉； 在此基础上发展起来的光谱技术称为能级交叉光谱技术 第四节 线性无多普勒光谱技术 图中给出了J＝l，I＝l/2在磁场中超精细能级的分裂，由图可知，在磁场B0处，F＝1/2的＋1/2分量与F=3/2的-1/2分量发生了交叉。 第四节 线性无多普勒光谱技术 三、光学一微波双共振技术 1．基本方法 与光学—光学耦合双共振(OODR)一样，微波(或射频)—光学共振也是一个分子体系同时和两个单色电磁场的相互作用;与OODR 不同的地方是，在微波—光学双共振(MODR)中，两个光子的能量差别很大，一个是微波(或射频)的光子，另一个是光学频段光子，正是这一点，使MODR技术成为一种无多普勒光谱技术 第四节 线性无多普勒光谱技术 1952年Brosel和Bitter完成了一个在外磁场中Hg原子的光 激发实验．如图所示．充有Hg蒸气的样品池放在由一对亥 姆霍兹线圈产生的磁场B0中．磁场B0使3P1态分裂为mj＝0, ?1的三个塞曼能级．当用?线偏振进行激发时，Hg原子被 激发到3P1的mj＝0 能级上，当对基态发射荧光时，所发射 的也是?线偏振光．如果在与B0相垂直的方向上加上射频? 的磁场B1， B1 场将产生?mj＝ ?1 跃迁，于是，能级mj＝ ?1 都会有布居．从mj＝ ?1 能级上发射的将是?圆偏振 光， ?圆偏振光的方向与?偏振光相垂直．于是，测量?圆 偏振光的发射就测量了?mj＝ ?1 的塞曼能级跃迁 采用测量荧光发射的方法测量了射频磁共振－微波(射频)—光学双共振． 第四节 线性无多普勒光谱技术 第四节 线性无多普勒光谱技术 MODR技术有两个显著的特点： 1)由于通过检测焚光光子?ph发射来检验分子对微波光子?mw的吸收。 ?ph 与?mw 两者数值相差甚大，?ph ～1014Hz， ?mw～105 ～109Hz，?ph ／ ?mw 是能量增益因子，因此，MODR技术有很高的灵敏度； 2)根据多普勒展宽公式，??D＝7.16x10-7 ?0(T／M)1/2, 微波跃迁的多普勒展宽仅是光频跃迁的?mw ／ ?ph ~ 10-5 ～10-9倍，因此微波段的多普勒展宽比光学频段的多普勒展宽小得多．而且、如果分子的自由程小于微波辐射的波长，由于Dicke效应，这个很小的多普勒展宽也会消失． 第四节 线性无多普勒光谱技术 采用MODR技术研究分子转动常数所用的两种能级图 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 第二节 偏振调制光谱技术 由于原子间的碰撞不仅使原子的运动速度的大小和方向 发生变化，而且也使原子的角动量发生改变，因此经受 碰撞后的原子，尽管保持它们碰撞前受到振幅调制的“记 忆”，却不能保持碰掩前的角动量状态的“记忆”，所以在 偏振内调制光谱信号中，碰撞后的原子只受到频率为f2 的第二柬激光的偏振调制，并不保持原有的频率为f1的 偏振调制， 第二节 偏振调制光谱技术 由于偏转器每旋转一周，偏振态改变了两次，于是锁定在2|f1?f2|上的锁相放大器，就不会放大这些原子发射的荧光信号，使多普勒背景