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PAGE 2 异质结原理与器件小论文 （小组） 题目：GaN——第三代半导体的新势力 队长：刘 敏 物理1001 成员：马丹丹 光信1001 李秋虹 光信1002 目录 选题背景 ………………………………………………………………3一、GaN材料的发展概述……………………………………………4 二、 GaN材料的特性…………………………………………………4 2.1化学特性…………………………………………………………6 2.2结构特性…………………………………………………………6 2.3电学特性…………………………………………………………7 2.4光学特性…………………………………………………………7 三、GaN材料的应用…………………………………………………8 3.1新型电子器件……………………………………………………8 3.2光电器件…………………………………………………………8 四、GaN的优缺点………………………………………………………10 4.1GaN材料的缺点…………………………………………………10 4.2GaN材料的优点…………………………………………………11 五、总结…………………………………………………………12 六、参考文献…………………………………………………………13 七、异质结小组分工及时间安排………………………………………13 GaN——第三代半导体的新势力 选题背景：自20世纪60年代，发光二极管(Light Emitting Diode，LED)的发展非常迅速，它具有体积小、耐冲击、寿命长、可靠度高与低电压低电流操作等优良的特性，适用于在各种环境的使用，而且符合未来环保节能的社会发展趋势。初期的以砷化镓(GaAs)、铝铟磷镓(AIGalnP)材料为基础之发光二极管，实现了红光至黄绿光波段的电激发光。GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。 关键词：氮化镓 半导体材料 特性 应用 GaN材料的发展概述 GaN是由Johnson等人于1928年合成的一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，由于晶体获得的困难，所以对它的研究未得到很好的进展。在60年代，用Ⅲ-Ⅴ族化合物材料GaAs制成激光器之后，才又对GaN的研究产生兴趣。1969年，Maruska和Tietjen成功制备出了单晶GaN晶体薄膜，给这种材料带来了新的希望。但在此后很长时期内，GaN材料由于受到没有合适的衬底材料、n型本底浓度太高和无法实现p型掺杂等问题的困扰，进展十分缓慢。进入90年代以来，由于缓冲层技术的采用和p型掺杂技术的突破，对GaN的研究热潮在全世界蓬勃发展起来，并且取得了辉煌的成绩。 二、GaN材料的特性 Ⅲ族氮化物，主要包括GaN、AN、InN（Eg2.3V）、GaInN和AlGaInN等，其禁带宽度覆盖了红、黄、绿、蓝、紫和紫外光谱范围。Ⅲ族氮化物有三种晶体结构，即纤锌矿、闪锌矿和岩盐结构，三种结构的主要差别在于原子层的堆积次序不同，因而电学性质也有显著差别。 GaN是Ⅲ族氮化物中的基本材料，也是目前研究最多的Ⅲ族氮化物材料。GaN材料硬度高，化学性质非常稳定。GaN的电学性质是决定器件性能的主要因素，电子室温迁移率目前可以达到900㎝2/（V?s）。在蓝宝石衬底上生长的未参杂的GaN样品存在较高（1018/cm3）的n型本底载流子浓度，现较好的GaN样品的n型本底载流子浓度可以降到1016/cm3左右。由于n型本底载流子浓度较高，制备p型GaN样品的技术难题曾一度限制了GaN器件的发展。随着技术的发展，目前已经可以制备载流子浓度在1011~1020/ cm3的p型GaN材料。 在GaN材料体系中，GaInN的使用最为广泛，这是因为GaInN为直接带隙材料，通过改变In组分，可以调整发光波长，发光范围基本可以覆盖整个可见光光谱，另外GaInN的电子迁移率较高，适合制作高频电子器件，但在In组分较大时，GaInN同GaN或AN的晶格失配较大，材料生长较为困难。 接下来我们将详细阐述GaN材料的基本特性。 2.1化学特性 在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。GaN具有高的电离度，在Ⅲ-Ⅴ族化合物中是最高的（0.43或0.5）。NaOH、H2SO4和H3PO4能较快地腐蚀质量差的GaN，可