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第9篇
第3章 场离子显微镜和原子探针
由E.W.Müller在20世纪50年代发明的场离子显微镜(FIM),是别具一格的原子直接成像方法,它能清晰地显示样品表层的原子排列和缺陷,在此基础上进一步发展的原子探针(AP)和三维原子探针(3DAP) 则可以对不同元素的原子逐个进行分析,鉴定其元素类别,其中3DAP还可以给出纳米空间中不同元素原子的分布图形。
1场离子显微镜
1.1场离子显微镜的结构
图9.3-1示意说明了场离子显微镜结构,它由一个真空容器组成,被研究材料的样品制成针尖形状,其尖端曲率半径约为50nm,被固定在距离荧光屏大约50mm的位置。样品被冷却至深低温,以减小原子的热振动,使原子的图像稳定可辨,并接3~30kV正高压作为阳极。仪器工作时,首先将容器抽到10-8Pa的真空度,然后通入氦气、氖气或氩气等成像气体至10-3Pa。在加上足够高的电压时,样品尖端附近的气体原子发生极化和电离,气体离子在电场作用下射向荧光屏产生亮斑,在荧光屏上即可显示尖端表层原子的清晰图像,如图9.3-2所示,其中每一亮点都是单个原子的像。为了使图像得到增强,在荧光屏前面放置一块微通道板,当气体离子射入微通道板后,产生一束增强的二次电子,二次电子轰击到荧光屏上产生一个增强的亮斑。
图9.3-1 场离子显微镜结构示意图
通常采用以下方法制备场离子显微镜分析用的针尖状样品:第一步,先将样品加工成直径或边长小于0.5mm的圆形或方形细丝,然后在密度较大的惰性液体上注入一薄层(一般6~8mm厚)电解液,将丝状样品垂直放入电解液中进行电解抛光,在样品中部产生颈状区,然后对颈状区进行更缓慢的电解抛光,直至下半部由于受重力作用而同上半部分离,这样就得到上下两个针尖样品(图9.3-3)。然后进入第二步,采用显微电解抛光技术对以上针尖进一步加工,即用铂丝弯曲成直径约2.5mm的小环作负极,环中充满电解液,将丝状样品插入环中,在样品和铂丝间通上脉冲电流,进而完成针尖样品的制备过程,操作在显微镜下完成(图9.3-4)。这种方法还可以用来修整已用过的针尖样品,以便重新利用该样品进行分析。
图9.3-2 铂-铑合金单晶的场离子显微镜图像
图9.3-3 电解抛光示意图 图9.3-4 显微电解抛光示意图
图9.3-5聚焦离子束制备针尖状样品示意图
最新的进展是采用聚焦离子束(FIB)来制备针尖状样品。图9.3-5显示了用环形FIB制备针尖状样品的过程。该方法不仅可以制备常规的金属样品,还可以制备出垂直于薄膜膜面方向的多层膜针尖样品,也可以将非常脆的样品加工成针尖状。FIB制备针尖状样品技术的发展为原子探针技术的推广起到了很大的作用。
1.2场致电离和原子成像
如果样品被加上数值为U的正电位,它与接地的阴极之间将存在一个发散的电场,并以曲率半径r极小的尖端表面附近产生的场强E为最高:
E≈U/5r (1)
当成像气体进入容器后,受到自身动能的驱使可能会有一部分达到阳极附近,在极高的电位梯度作用下气体原子发生极化,即中性原子的正、负电荷中心分离而成为一个电偶极子。尽管样品尖端的晶体表面近似地呈半球形,可是由于原子的不可分性,这一表面实际上是由许多原子平面的台阶所组成,处于台阶边缘的原子(图9.3-6中画有阴影的原子)总是突出于平均的半球形表面而具有更小的曲率半径,在其附近的场强也更高,气体原子在这些位置发生场致电离成为带正电的离子。这些气体离子由于受到电场的加速而径向地射出,撞击荧光屏形成亮点。
图9.3-6 场致电离过程和表面上突出原子像亮点的形成
为了使极化气体电离所需要的成像场强Ei,主要取决于样品材料、样品温度和成像气体外层电子的电离激发能。几种典型的气体成像场强Ei见表9.3-1。对于常用的惰性气体氦和氖,Ei≈400MV/cm或40V/nm;根据式(1),当r=10~300nm时,在尖端表面附近产生这样高的场强所需要的样品电位U并不高,仅为5~50kV左右。
表9.3-1 几种气体的成像场强
气体
Ei(MV/cm)
气体
Ei(MV/cm)
He
Ne
H2
450
370
230
Ar
Kr
230
190
1.3图像的诠释
如上所述,场离子显微镜图像中每一个亮点,实际上是样品尖端表面一个突出原子的像。由图9.3-2我们看到,整个图像由大量环绕若干中心的圆形亮点环所构成,其形成的机理可由图9.3-7得到解释。设想某一立方晶体样品细丝的长轴方向为[001],则(001)晶面与样品尖端半球形表面的交线即为一系列同心圆环,它们同时也就是表面台阶的边缘线。因此,图像中同一圆环上的亮点,正是同一台
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