半导体物理学Chapter7.pptVIP

QUST 半导体物理 第七章 半导体物理基础 QUST 半导体物理 半导体物理基础 第七章 金属和半导体的接触 第七章 9.1 金半接触的能带图 9.2 金半接触的整流输运理论 9.3 少子注入和欧姆接触 第七章 9.1 金半接触的能带图 9.1.1 功函数和半导体电子亲合能 金属功函数： －真空能级与金属费米能级之差 电子亲和能χ：真空能级与导带底之差 E0：真空能级 真空中静止电子的能量 En 半导体功函数： 金属与半导体接触？？？ 第七章 9.1.2 接触电势差 D 1 （Wm Ws） 肖特基势垒 D → 0 D 接触电势差 表面势：半导体表 面和体内的电势差 电子阻挡层 电子反阻挡层 空穴反阻挡层 空穴阻挡层 D = 0 第七章 9.1.3 表面态对接触势垒的影响 －施主表面态、受主表面态 －高表面态钉扎 接触前 接触电势差完 全落在间隙上 紧密接触 极限情况 第七章 9.2.2 势垒区的电势分布 －n型半导体 泊松方程 9.2 金半接触的整流输运理论 阻挡层： 高阻，整流 反阻挡层： 低阻，欧姆 整流 欧姆 欧姆 整流 9.2.1 整流 作用 第七章 * 肖特基接触的势垒电容 施加反向偏压V时 平行板电容 与单边突变p-n结相同 第七章 9.2.3 扩散理论 －适用于势垒宽度电子平均自由程 ，即 ln d 同时考虑势垒区扩散和漂移电流 第七章 积分 当-q（VD+V)kT,被积指数函数随x急剧减小。主要取决于x=0附近的电势值 第七章 平衡态近似 积分 第七章 －适用于势垒宽度电子平均自由程 JSD 第七章 9.2.4 热电子发射理论 －适用于势垒宽度电子平均自由程 ln d 单位体积中，v-v+dv范围内的电子数 单位体积中，E-E+dE范围内的电子数 第七章 单位体积，速度空间电子的分布 实空间单位面积，单位时间，速度vx(0)的电子都可以到达金半界面，其数目为 可以越过势垒电 子的能量要求 vx 积分限: vx0 → +∞ vy 积分限: -∞→ +∞ 电流密度 vz 积分限: -∞→ +∞ 第七章 vx : vx0 → +∞；vy : -∞→ +∞；vz : -∞→ +∞ －半导体到金属的电子流 依赖于电压 第七章 －金属到半导体的电子流基本不依赖于电压 Jm→s ：常数 V = 0, J =0 第七章 9.2.5镜像力影响 电子总电势能 由此，镜像力所引起的势垒降低量随反向电压的增加而缓慢的增大，当反向电 压很高时，势垒的降低变得明显，镜像力的影响才显得重要。 第七章 9.2.6 隧道效应影响 临界厚度xc xc d 可见，镜像力和隧道效应引起的势垒降低量随反向电压的增大而缓慢增大，当反向电压较高时势垒的降低变得明显。因此，这两者对反向特性影响比较显著。 第七章 9.2.7 pn结和肖特基势垒二极管 第七章 9.3 少子注入和欧姆接触 9.3.1 少子注入 V = 0 (平衡态) 空穴扩散与电场抵消 V 0 (正偏) 空穴扩散主导 x = d 少子注入比 第七章 9.3.2 欧姆接触 金属－重掺杂半导体接触 ND = 1019 cm-3 d ~ 102 ? 电子隧穿通过势垒区 ND1 第七章 1 线性 I-V, 正反向对称 2 重掺杂接触电阻很小 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * * QUST 半导体物理 第七章 半导体物理基础 QUST 半导体物理 半导体物理基础 * *