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第1章 半导体基础知识 武汉理工大学 信息工程学院 电子技术基础课程组 1 半导体基本知识 主要内容 1.1 半导体材料 1.2 半导体的共价键结构 1.3 本征半导体 1.4 杂质半导体 1.1 半导体材料 导体：电阻率 ? 10-4 ? · cm 的物质。如铜、银、铝等金属材料。 绝缘体：电阻率 ? 109 ?· cm 物质。如橡胶、塑料等。 半导体：导电性能介于导体和半导体之间的 物质。大多数半导体器件所用的主要材料是 硅(Si)和锗(Ge)。 1.2 半导体的共价键结构 半导体的导电性能是由其原子结构决定的。 1.3 本征半导体 基本概念 本征半导体：完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体。 本征激发：在温度作用下，束缚电子脱离共价键而形成自由电子，并在原来的位置上形成空穴的过程。 空穴：当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，共价键中就留下一个空位，这个空位叫做空穴。 半导体中有两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。 1.3 本征半导体 基本概念 本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，称为 电子 - 空穴对。 本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和 pi 表示，显然 ni = pi 。 由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动会达到平衡，载流子的浓度就一定了。 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升高，基本按指数规律增加。（热敏性） 1.3 本征半导体 1.3 本征半导体 1.4 杂质半导体 基本概念 本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 杂质半导体有两种：N（电子）型半导体和P（空穴）型半导体。 1.4 杂质半导体 N型半导体 在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价元素（杂质），如磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型半导体)。 五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子，由热激发形成。 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，而五价杂质原子因提供了自由电子故也称为施主杂质。 1.4 杂质半导体 N型半导体 1.4 杂质半导体 P型半导体 在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价元素（杂质），如硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体。 因3价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子，由热激发形成。 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质 因而也称为受主杂质。 1.4 杂质半导体 P型半导体 1.4 杂质半导体 有关杂质半导体的几点说明 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决定少数载流子的浓度。 杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导体，因而其导电能力大大改善。（掺杂性） 杂质半导体总体上保持电中性。 2 PN结的形成及特性 PN结的形成 在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散和漂移，在它们的交界面处就形成了PN结。 扩散运动：载流子从浓度较高的区域向浓度低的区域的运动，形成的电流称为扩散电流。 漂移运动：在电场力的作用下，载流子从浓度低的区域向浓度高的区域的定向运动，形成的电流称为漂移电流。 2 PN结的形成及特性 2 PN结的形成及特性 2 PN结的形成及特性 2 PN结的形成及特性 PN结的单向导电性－－正向导通反向截止 在PN结加上正向电压或正向偏置的意思都是： P区加正、N区加负电压。 当 PN 结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流， PN 结处于 导通状态。 PN结加上反向电压或反向偏置的意思都是： P区加负、N区加正电压。 当 PN 结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零， PN 结处于截止状态。 2 PN结的形成及特性 2 PN结的形成及特性 PN结的单向导电性 PN结的V-I特性 模拟电子技术——电子技术基础精品课程 上页 下页 本征半导体、杂质半导体 有关半导体的基本概念 自由电子、空穴 N型半导体、P型半导体 多数载流子、少数载流子 扩散、漂移 施主杂质、受主杂质 硅原子结构（14） 硅原子结构 (a)硅的原子结构图 最外层电子称价电子 价电子 锗原子也是 4 价元素 　　4 价元素的原子常常用+ 4 电荷的正离子和周围 4个价电子表示。 +4 (b)简化模型 锗原子结构（32） 锗原子结构 (a)锗的原子结构图