常用电子元器件的使用.pptVIP

(4) 通态平均电压UT(AV) 习惯上称为导通时的管压降。这个电压当然越小越好，一般为0.4V~1.2V。 (5) 通态平均电流IT(AV) 通态平均电流IT(AV)简称正向电流，指在标准散热条件和规定环境温度下(不超过40oC)，允许通过工频(50Hz)正弦半波电流在一个周期内的最大平均值。 (6) 维持电流IH 维持电流IH，指在规定的环境温度和控制极断路的情况下，维持晶闸管继续导通时需要的最小阳极电流。 2.4 场效应晶体管FET 场效应管(单极型晶体管）与晶体三极管（双极型晶体管）不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 结型场效应管JFET (Junction FET) 绝缘栅型场效应管MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor FET) 场效应管有两种: N沟道 P沟道 增强型EMOS 按沟道类型分 N沟道NMOS P沟道PMOS （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 按工作方式分 耗尽DMOS 场效应管分类 P N N g s d N沟道增强型 g s d B P型基底 SiO2绝缘层 金属铝 两个N区 P N N g s d g s d B N 沟道耗尽型 予埋了导电沟道 MOSFET结构和电路符号 N P P g s d P 沟道增强型 g s d B N P P g s d g s d B P 沟道耗尽型 予埋了导电沟道 MOSFET结构和电路符号 正常工作条件 源区和漏区的两个N区与衬底之间的PN结必须外加反偏电压。即vDS0。 P N N g s d vDS vGS 工作原理： 在栅极电压作用下，漏区和源区之间形成导电沟道。这样，在漏极电压的作用下，源区电子沿导电沟道行进到漏区，产生自漏极流向源极的电流。改变栅极电压，控制导电沟道的导电能力，使漏极电流发生变化。 vDS vGS NEMOSFET工作原理 P N N g s d （1）vGS=0时 漏区和源区被隔断,没有导电沟道 iD=0 vGS + - 沟道形成原理 （2）vGS0且vGSVT 漏区和源区仍被隔断 iD=0 （3）vGSVT 形成导电沟道，vDS作用下的漏极电流随vGS增大而增大 反型层 （导电沟道） VT:开启电压 形成反型层所需VGS的值 vDS + - iD （1）vDS很小，沟道宽度保持不变， vDS增大， iD线性增大 vDS对沟道导电能力的控制 vGSVT vDS0 （2）vDS增加，vGD=VT 时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。 （3）夹断后，即使vDS 继续增加，iD仍呈恒流特性。 vDS + - P N N g s d vGS + - iD 当vDS较大时，靠近d区的导电沟道变窄。 当vDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。 MOSFET的主要参数 1、开启电压VT（增强型MOS） 当vDS为某一个固定值使iD等于一微小电流时，栅源间的电压为VT。 一、直流参数 2、夹断电压VP（耗尽型FET） 当vDS为某一个固定值使iD等于一微小电流时，栅源之间所加的电压称为夹断电压VP。 3、饱和漏极电流IDSS（耗尽型FET） 在vGS=0的情况下，当 时的漏极电流。 4、直流输入电阻RGS 在漏源之间短路的条件下，栅源之间加一定电压时的栅源直流电阻就是直流输入电阻RGS。 MOSFET的主要参数 1、输入电阻rds 表明了vDS对iD的影响。是输出特性某一点上切线斜率的倒数。 二、交流参数 2、低频互导gm 当vDS等于常数时，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压的微变量之比成为互导。 互导反映了栅源电压对漏极电流的控制能力。 互导是表征FET放大能力的一个重要参数。 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * 2.1二极管 2.2三极管 2.3晶闸管 常用电子元器件使用 2.4场效应管 2.1 二极管 划分方法及种类 解 说 按功能划分 普通二极管 常见的二极管 整流二极管 专门用于整流的二极管 发光二极管 专用于指示信号的二极管,能发出可见光 稳压二极管 专门用于稳