太阳能电池制造工艺原理控制要点.pptVIP

电池生产各岗位工艺控制点 —罗姗 —2011年7月8日 各岗位工艺卫生总体要求 所有岗位人员进入车间必须穿戴好工作服带好工作帽，口罩以及工作鞋，风淋20s 全过程操作人员必须带乳胶手套和口罩操作，不得用手及纸制品直接接触电池片 所有生产设备、岗位工夹具按工艺生产要求进行清洗维护，石英制品定期进行清洗饱和以保证产品质量 清洗装片 合格片中出现超过总批量的0.10%的裂纹片，进行异常分析 装片人员装片过程中在承载盒下放置缓冲海绵垫，以防止造成硅晶脱落。 装片人员定期更换薄膜手套 装片后制绒前在制品控制在1000pcs 清洗制绒 制绒槽温度：80±2度；时间：25-30分钟 换液频率：1次/12h 制绒表面状况分析 1.制绒后若出现雨点状斑点，加入少量乙醇或异丙醇即可消除 2.制绒后硅片上半部分光亮，表明液位不够，或粘稠度过大，是篮筐漂浮 3.若硅片表面有流水印，适当加大NaOH的用量 4.硅片表面出现黑斑，表明没有及时清洗（腐蚀后暴露在空气中时间过长） 5.手指印，表明硅片表面脂肪酸沾污，需重新预清洗 6.硅片表面有药物残留，异丙醇加入过多，重新清洗 减薄量：单晶：0.3g-0.5g; 多晶：0.38g-0.42g 减薄量大小以腐蚀速率控制 备注：清洗机刚换过液时，一般把减薄量控制在合格范围的下限并偏小0.02g 制绒过程中影响制绒效果的因素有 1.碱液浓度（影响金字塔体积大小）、异丙醇浓度（影响腐蚀速率和氢气泡的释放） 2.溶液温度、制绒时间长短（影响金字塔椎体形貌） 3.槽体密封程度、异丙醇挥发程度 4.制绒槽内硅酸钠累积量（影响产品质量的稳定性和制绒液的可重复性） 制绒后扩散前在制品控制在5000pcs 扩散 扩散后方块电阻范围 1.单晶（低阻：0.3-5）：48±2（高阻：3 - 6）：42±3Ω 2.多晶：57±2 备注：当班方块电阻会随工艺要求有所变动 扩散后同一炉方块电阻不均匀度≤10% 扩散后单片方块电阻不均匀度≤10% 影响扩散工艺的因素有 1.扩散时间长短（通源时间和驱入时间） 2.扩散炉温度（温度高低决定硅片表面杂质浓度高低和P-N结结深） 3.源的纯度 影响测试方块电阻的环境因素有 温度 光强 高频干扰 测方块电阻 1. 抽测顺序自炉口到炉内，便于后续调试对应温区温度 2.测前校准四探针测试仪：I=4.530mA 方块电阻大小与对应温区成反比 1.调试比例：温度/方块电阻 单晶：1:1 ；多晶：1:2 扩散后刻蚀前在制品控制单晶2000pcs；多晶1000pcs 刻蚀 冷热探针边缘导电性（万用表置200mV）任一边测试值必须≥30mV 关键工艺参数：射频功率（射频功率过低会导致等离子体不稳定分布不均匀某些区域过刻，某些区域刻蚀不足，从而导致RSH下降，影响EFF）和刻蚀时间（刻蚀时间过长导致电池正反面损伤较大，时间长到一定程度损伤延伸到P-N结区） 插片时承载盒放反，未分清扩散面导致后续J0片 刻蚀后去PSG前在制品控制在2000pcs 去PSG 配液成分：HCL、HF;每12h进行1次换液 各槽工艺温度参数 1.预热槽设定：90-99℃；实际达到：80-90℃ 2.四副槽设定：85-90 ℃；实际达到：83-90℃ 3.烘干槽设定：90-99 ℃；实际达到：90-99℃ 烘干时间设定：360s 去PSG后镀膜前在制品控制在2000pcs PECVD 膜厚 单晶：85-89nm ；多晶：83-87nm 折射率 单晶：2.01-2.03 ；多晶：2.03-2.07 影响膜厚与折射率的主要因素 1.氨气与膜厚成正比，与折射率成反比 2.硅烷与膜厚成正比，与折射率成正比 镀膜质量分析 1.镀膜偏薄，导致镀膜后表面发红 2.镀膜偏厚，导致镀膜后表面发白 PECVD氮化硅沉积温度：300-450 ℃ 石墨板清洗周期：120h OTB维护周期 单晶：60h 多晶：50h 镀膜前在制品囤积时间≥4h需重新去PSG 镀膜后印刷前在制品控制在5000片 丝网印刷 浆料使用前采用卧式搅拌机搅拌36h，转速为20r/min 丝网一道网版寿命：80000pcs 丝网二道网版寿命：30000pcs 丝网三道网版寿命：