第一章自关断器件电力电子技术--（精选）公开课件.pptVIP

自关断器件 自关断器件 四、大功率晶体管（GTR） 五、功率场效应晶体管（P-MOSFET） 1、结构 Ⅰ 漏源电阻限制线 Ⅱ 最大漏极电流限制线 Ⅲ 最大功率限制线 Ⅳ 最大漏源电压限制线 六、绝缘栅双极型晶体管（IGBT） GTR：开关频率较高，驱动功率大，导通压降小 2 、工作特性 (1)静态特性 * 浙江大学电气工程学院 -电力电子技术- 1、结构： 普通晶体管结构 GTR结构 符号 特点： 开关频率较高、动态性能好、承受功耗小、控制方便。 阻断能力差、瞬态过电压及过载能力差。 2、工作特性 （1）静态特性 （2）动态特性 td：延迟时间； ts：存储时间 tr：集电极电流上升时间； tf：集电极电流下降时间 加速电容的作用： Usr：-U2→U1时，Ucs不突变，左(-)右(+) 基极电压U1+UcsU1，加速开通 Usr：U1 → -U2时，Ucs左(+)右(-) 基极电压-U2-Ucs-U2，加速关断 3、主要参数 （1）电压参数 集电极额定电压 UCEM 应 小于 UCEO UCEO ：基极开路，集电极电流较大时，集，射极间的击穿电压 （2）电流参数 连续（直流）额定电流 IC 集电极额定电流（最大允许电流）ICM (1) 二次击穿现象 出现击穿现象（AB段），称一次击穿。 1) 2) 集电极局部过热，C→D负阻效应, 低电流，大电压，称二次击穿，元件损坏 。 4、二次击穿现象与安全工作区 (2) 安全工作区 FBSOA RBSOA 特点：电压控制，控制极（栅极）静态内阻高 驱动功率小，开关速度高，无二次击穿，安全工作区宽 (Ⅰ) 可调电阻区 (Ⅱ) 饱和区 ( Ⅲ) 击穿区 1)漏极伏安特性 2、工作特性 （1）静态特性 跨导（与GTR中β相似） 表示栅源电压对ID的控制 2)转移特性 静态驱动电流小 动态Cin充放电，驱动电流稍大 开通：a） b) c) 输入电容: (2)开关特性 为多数载流子器件，没有存储 效应，开关时间短为20ns左右 关断：a）UP高电平↓ ，Cin放电，UGS下降，iD未变 b）td（off）时，预夹断，iD下降 c）Cin仍放电，UGS仍下降，夹断区上升，iD下降 UGSUGS（TH）时，导电沟道消失，iD＝0 2)安全工作区 (3)主要参数与安全工作区 1)主要参数 （a）漏极电压 UDS （b） 电流定额 ID （c） 栅源电压 UGS IGBT＝ 输入（MOSFET） ＋输出（GTR） MOSFEF：通态压降大，开关速度高，驱动功率小 1、结构： (2)动态特性 与MOSFET类似 * *