半导体器件原理第三章.ppt

导电类型相同的材料构成的异质结称为同型异质结； 如：n-N Ge-Si，n-N Si-GaAs，p-P Si-GaP ； 导电类型相反的材料构成的异质结称为异型异质结； 如：p-N Ge-GaAs,n-P Ge-GaAs； 在以上所用的符号中，一般都是将禁带宽度较小的材料写在前面。 3.3 异质结 能带图 由于构成异质结的是不同的材料，它们的晶格常数一般是不相同的，所以在异质结中晶格失配是不可避免的。由于晶格失配，在两种半导体材料的交界处产生了悬挂键引入界面态; 3.3 异质结 能带图 在异质结交界面处，在晶格常数小的半导体中出现了一部分不饱和悬挂键。 理想突变异质结：假设两种材料晶体结构、晶格常数、热膨胀系数相同，忽略悬键的产生和界面态。 分析几种同型和异型异质结。通常设右侧材料具有较宽的带隙。 几种不同的异质结能带组合方式 不同的能带组合方式结合不同的导电类型组合，形成了种类丰富的异质结结构 跨骑、交错、错层 跨骑 交错 错层 真空能级 3.3 异质结 能带图 3.3 异质结 能带图 接触前 接触后， 电子从n—p； 空穴从p—n； N区存在正空间电荷区； P区存在负空间电荷区； 能带发生弯曲； * 正确画出异质结的能带结构，需要给出禁带宽度、导带或价带差，才能获得。 可以假设：导带的失调由材料的亲和势或功函数的差决定，由此，在获得禁带宽度差的条件下，即可获得正确能带结构。 窄带隙材料和宽带隙材料在接触前的能带图 异质结的能带图结构主要由两个因素决定：接触带边的能量不连续（由材料决定）和内建势垒（由掺杂决定） AlxGa(1-x)As GaAs 掺杂水平不同的pN结 nN结与二维电子气 E1 E2 V(z) z 二维电子气：电子堆积在异质结表面的势阱中，沿垂直于表面方向的运动变的量子化，即它的能量只能取一系列的分立值；而平行于表面的运动仍是自由的，能量可以是任意值。 热平衡时理想能带图（三角势阱） 电子亲和准则：理想异质结中，导带处的不连续是由于两种半导体材料电子亲和能不同引起的。 1）界面处出现能带的突起和凹陷，可以促进或阻挡载流子。 2）界面处存在局域态，起到复合和俘获中心的作用。 3）两侧材料带隙宽度不同，宽带材料成为窄带材料的窗口。 4）两侧材料折射率不同，折射率小的材料成为折射率大的材料的反射层，使光封闭于高折射率的材料中。 外延工艺→晶格匹配的同型和异型异质结 最重要的应用：光电子器件方面 3.3 异质结 异质结特点： 小结 金半接触——整流接触；势垒高度因金属功函数与半导体电子亲和能的不同而不同； 外加电压存在时，肖特基势垒的变化； 肖特基势垒二极管的理想I-V关系； 肖特基二极管与pn结二极管的区别：肖特基二极管的IV特性和PN结特性类似，但肖特基二极管的热电子发射电流比PN结扩散电流要大几个数量级； 电子亲和准则：在一个理想的异质结中，导带处的不连续是由于两种半导体材料电子亲和能的不同引起的； 半导体异质结，新型现代半导体器件的基础。 半导体异质结的特点。 * END * 思考题： 比较肖特基势垒二极管和pn结二极管正偏条件下I-V特性； 解释肖特基势垒二极管和pn结二极管开关特性不同的原因。 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * 镜像力使实际的势垒高度降低，可求出势垒的最大高度和对应的xm 势垒高度的变化量非常小，但从后边可以看到，势垒高度和电流-电压关系呈指数关系变化，因而微小的势垒高度变化将会导致明显的电流变化 3.1肖特基势垒二极管 非理想因素 在高电场下，肖特基势垒大大降低。 3.1肖特基势垒二极管 非理想因素 二、界面态对势垒高度的影响 实验发现，很多半导体在与金属形成金--半接触时，半导体中的势垒高度几乎与所用金属无关，只与半导体有关，几乎是常数。 理想MS接触认为接触势垒仅由金属的功函数决定，实际上半导体表面存在的表面态对接触势垒有较大影响。 表面态位于禁带中，对应的能级称为表面能级，表面态分为施主型和受主型两类。 若能级被电子占据时呈电中性，释放电子后呈正电，称为施主型表面态。 若能级空着时呈电中性，而接受电子后呈负电，称为受主型表面态。 3.1肖特基势垒二极管 非理想因素 界面态的影响 施主型表面态：能级释