半导体物理与器件第四章2.pptVIP

n0和p0乘积 非简并半导体载流子浓度积的公式： 只要满足玻尔兹曼近似条件，只要处于热平衡状态，对于本征半导体和非本征半导体都普遍适用。 分析公式可得浓度积的重要意义： n0 、p0之积与EF无关，这表明浓度积与杂质浓度无关，而由半导体的材料特性和温度决定。 当温度一定时，对某种半导体，该乘积 恒定这表明：导带电子浓度与价带空穴浓度是相互制约的，若电子浓度大，则空穴浓度一定小，反之亦然；这是动态热平衡的一个反映。 简并与非简并半导体 简并与非简并半导体 在n0、p0的推导过程中，使用了玻尔兹曼假设，该假设只能处理非简并系统。而当导带电子（价带空穴）浓度超过了状态密度Nc（Nv）时，费米能级位于导带（价带）内部，这时半导体转变为n（p）型简并半导体。 简并与非简并半导体 简并半导体的载流子浓度公式 简并化标准 简并化与杂质掺杂的关系，及杂质带导电 重点问题 简并半导体的载流子浓度 费米积分 把EF与EC的相对位置作为区分简并化与非简并化的标准。 简并与非简并半导体 简并与非简并半导体 发生简并的条件 大量掺杂 温度的影响（低温简并） 简并系统的特点： 杂质未完全电离 杂质能级相互交叠分裂成能带，甚至可能与带边相交叠。杂质上未电离电子也可发生共有化运动参与导电。 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * 半导体物理与器件 陈延湖 理想半导体： 原子严格地周期性排列，晶体具有完整的晶格结构 原子是静止的 晶体中无杂质，无缺陷。 电子在周期场中作共有化运动，形成允带和禁带——电子能量只能处在允带中的能级上，禁带中无能级。且由本征激发提供载流子。 实际半导体： 原子不是静止的，而是在其平衡位置做热运动 晶体中有杂质和缺陷。 原子的热运动、杂质、缺陷等使周期场破坏，在杂质或缺陷周围引起局部性的电子量子态——对应的能级常常处在禁带中。 杂质和缺陷 4.2 掺杂原子与能级 为什么要掺杂？ 本征半导体的使用存在诸多限制，掺杂能明显的改变本征半导体的电学特性，从而展现出半导体的真正能力 掺杂半导体称为非本征半导体，它是我们能够制造各种半导体器件的基础 掺杂原子与能级的核心问题 掺杂原子的种类与作用 杂质原子上电子的能级与电离能 掺杂原子 杂质 硅金刚石结构填充率： 在金刚石型晶体原子只占有晶胞体积的34%，还有66%是空隙 间隙式杂质：杂质原子位于晶格原子的间隙位置； 替位式杂质：杂质原子取代晶格原子； 杂质原子 替位式杂质： 杂质原子的大小与被取代的晶格原子的大小比较相近 价电子壳层结构比较相近 Si：r=0.117nm Li：r=0.068nm 间隙式杂质 P：r=0.11nm 替位式杂质 替位式杂质 施主杂质(donor impurity) 受主杂质(acceptor impurity) 间隙式杂质： 原子一般比较小 施主杂质 施主能级 磷原子有5个价电子，硅有4个价电子。结果一个磷原子占据一个硅原子后，形成一个正电中心P+和一个多余的价电子。 以硅中掺五族磷原子来讨论施主杂质 多余价电子受正电中心的束缚很弱，容易摆脱束缚成为导电电子，而P原子成为不可移动的带正电荷的P离子 施主杂质 施主能级 施主杂质或N型杂质： 磷原子这种能够施放电子而产生导电电子并形成正电中心的杂质 施主杂质电离：电子脱离杂质原子的束缚成为导电电子的过程 施主杂质电离能：使多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所需要的能量 N型半导体或电子型半导体：掺入施主杂质，杂质电离后，增加导带中导电电子而并不产生价带空穴的半导体 施主能级 施主能级ED： 当杂质的束缚电子得到能量后，就从施主的束缚态跃迁到导带成为导电电子，所以电子被施主杂质束缚时的能量比导带底 低 。将被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级，记为 因 较小，施主能级ED位于①离导带底很近的禁带中,是由多个②具有相同能量的分立能级组成 分立施主能级的能带图 施主能级电离后的能带图 分立施主能级的能带图 施主能级电离后的能带图 分立施主能级的能带图 受主杂质 受主能级 B原子占据硅原子的位置。磷原子有三个价电子。与周围的四个硅原于形成共价键时还缺一个电子，就从别处夺取价电子，这就在si中形成了一个空穴。 这时B原子就成为多了一个价电子的磷离子B－，它是一个不能移动的负电中心。 空穴束缚在负电中心B－的周围。空穴只要很少能量就可挣脱束缚，成为导电空穴在晶