薄膜光学技术-3-2.ppt

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1.电阻加热蒸发 电阻加热蒸发原理:低压大电流使高熔点金属制成的蒸发源产生焦耳热,使蒸发源中承放的膜料汽化或升华。 选用蒸发源应考虑的因素: 1. 熔点高,热稳定性好; 2. 蒸发源在工作温度有足够低的蒸气压; 3. 不与膜料反应; 4. 高温下与膜料不相湿润(相渗);或虽相湿润,但不相溶; 5. 经济实用。 电阻热蒸发的优点: 简单,经济,操作方便。 电阻热蒸发的缺点: ①不能蒸发高熔点材料; ②膜料容易热分解; ③膜料粒子初始动能低,膜层填充密度低,机械强度差。 2 电子束加热蒸发 工作原理: 1. 灯丝通大电流,形成热电子发射流: 2. 电子流在电位差为U的电场中被加速至V, 由 得 ( m/S) 例: U=6 ~10 kV时,v=4.6~6×107 m/S 如此高速!! 若聚焦, 能量极高!! 3.电子流被加速的同时,由电磁场使其聚成细束,并对准坩埚内的膜料,造成局部高温而汽化蒸发。在极短时间内温度上升到几千度!! 结构 优点: 1. 电子束焦斑大小可调,位置可控,既方便小坩埚,也方便大坩埚; 2. 可一枪多坩埚,既易于蒸发工艺的重复稳定,也方便使用多种膜料; 3. 灯丝易屏蔽保护,不受污染,寿命长; 4. 使用维修方便。 特点 1. 可蒸发高熔点材料(W, Ta, Mo, 氧化物,陶瓷,…); 2. 蒸发速度易控,方便多源同蒸; 3. 可快速升温到蒸发温度,化合物分解小; 4. 膜料粒子初始动能高,膜层填充密度高,机械强度好。 3.5 溅射 —— 用高速正离子轰击膜料(靶)表面,通过动量传递,使其分子或原子获得足够的动能而从靶表面逸出(溅射),在被镀件表面凝聚成膜。 溅射镀与热蒸发镀相比较: 优点: 膜层在基片上的附着力强; 膜层纯度高: 可同时溅射多种不同成分的合金膜,或化合物。 缺点: 需制备专用镀料; 靶利用率低。 3.5.1 辉光放电溅射 工作原理:利用电极间的辉光放电进行溅射。 1.辉光放电基础 —— 气压在1—10Pa时,高压电极间气体电离形成低压大电流导体,并伴有辉光的气体放电现象。 气体放电 状态特性 AB段—— 非自持暗放电状态; BC段—— 自持暗放电状态; CE段—— 气体击穿,辉光出现,建立稳定放电状态 之前的过度段; EF段—— 正常辉光放电状态(增加放电功率时,放电电流增大,极间电压不变); FG段—— 反常辉光放电状态; GH段—— 增大放电功率时,电流急遽增大,极间电压反而迅速下降,是辉光放电向弧光放电过度的阶段; H后段—— 弧光放电状态。 ①. 应用 A. 正常辉光放电用于离子源 增大电流时,离子浓度增加,而电压不变,离子能量不变。 B. 反常辉光放电用于溅射 电流电压可调,方便成膜速率和轰击能量的控制。 C. 弧光放电用于弧源离子镀 一源同时完成快速成膜和离子轰击双重功能。 ②辉光放电中的阴极暗区 A. 辉光放电时的极间“光区”“电压”“电荷”分布 B. 阴极暗区(克鲁克斯暗区) Ⅰ. 只在此区,正离子占优势,可形成明显的冲击阴极的离子流; Ⅱ.两极间压降几乎全部降落在此区,电场对离子的加速作用主要在此区间完成。 辉光溅射就是建立在此实验基础之上,靶材作为阴极,被镀零件作为阳极或偏置,可以放在阴极暗区之外任何方便的地方。 (2). 低频交流辉光放电 —— 用于零件同时双面镀。 两靶交替成为阴阳极,在每半周内,两极间足以建立直流辉光放电。 (3). 射频辉光放电 极间电压变化频率超过10MHz时,电场能够通过任何一种类型的阻抗耦合进去,电极不再要求一定是导体。 因此,可用于溅射任意一种材料。即可以溅射非金属靶,又可以在绝缘体上镀膜。 2. 溅射方式 (1). 二极溅射(阴极溅射/直流溅射) 阴极——靶材;阳极——被镀件。 一般情况下,两极间的距离只是阴极暗区宽度的3 ~ 4倍即可。 二极溅射的优缺点 优点: 结构简单,操作方便,可长时间工作。 缺点: ①成膜速率低 —— 二极直流辉光放电离化率低(百分之几)所致; ②基片温升高(二次电子轰击),不耐高温镀件不宜; ③工作气压高,气体对膜层有污染; ④不能溅射介质靶材。 (2). 三极/四极溅射 特点: ①热阴极与阳极间的低压大电流弧光放电形成等离子体,靶和基片虽置于等离子体边缘,但不参与放电; ②靶上施加负偏压,将离子从等离子体引向靶,形成溅射镀。四极溅射相对三极溅射在热阴极前增设了一个辅助阳极,有稳定放电的作用。 优点:离子密度

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