第07章-薄膜晶体管的结构与设计说课材料.pptVIP

第7章 薄膜晶体管的结构及设计;7.1 a-Si:H TFT结构概述 7.2 背沟道刻蚀结构的a-Si:H TFT 7.3 背沟道保护结构的a-Si:H TFT 7.4 其他结构的a-Si:H TFT 7.5 薄膜晶体管阵列的设计;7.2 背沟道刻蚀型TFT的工艺流程;PEP 1 栅极 Mo/AlNd PEP 2 a-Si:H 岛 SiNx /α-Si/ n+-Si PEP 3 源漏电极及沟道切断 Mo/Al/Mo;α-Si/ n+-Si PEP 4 SiNx保护膜及过孔 PEP 5 ITO像素电极;7.2.1 背沟道a-Si:H TFT 的平面结构;7.2.1 背沟道a-Si:H TFT 的断面结构;1PEP 栅线;3PEP 信号线;4PEP 钝化层和过孔 ;5PEP 象素电极 ;7.2.1 背沟道a-Si:H TFT 的断面结构;常采用5次光刻： 1次光刻：栅线 2次光刻：有源岛 3次光刻：源漏电极 4次光刻：钝化及过孔 5次光刻：像素电极;7.2.2 采用4次光刻的工艺流程;4次光刻中第二次光刻的工艺流程;7.2.2 采用4次光刻的工