双极集成电路中元件形成与寄生效应.pptVIP

* * rCS=rC1+ rC2+rC3 集电极串联电阻rCS 集成双极晶体管的无源寄生效应 rC3 rC2 rC1 E C P+ P+ N+-BL N-epi C N+ P B E N+ * * C B E C S P+隔离扩散 P基区扩散 N+扩散 接触孔 铝线 隐埋层 A A’ B B’ C C’ 作业: 1. 教材P24 2-1； 2-4 2. 画出下图示例在A-A’,B-B’ C-C’处的断面图。 * * 3. 教材P24 2-5 * * As掺杂（离子注入） 刻蚀（等离子体刻蚀） 去胶 N+ 去除氧化膜 3．N+掺杂： N+ P-Si Tepi C B E p n+ n-epi n+ P-Si P+ P+ S n+-BL Tepi * * P-Si Tepi C B E p n+ n-epi n+ P-Si P+ P+ S n+-BL Tepi 典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程 3:外延层 主要设计参数 外延层的电阻率ρ; 外延层的厚度Tepi; A A’ Tepi xjc+xmc +TBL-up+tepi-ox 后道工序生成氧化层消耗的外延厚度 基区扩散结深 TBL-up tepi-ox xmc xjc 集电结耗尽区宽度 隐埋层上推距离 TTL电路：3～7μm 模拟电路：7～17μm * * 典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程 4:第二