第六章 半导体.ppt

第六章 半导体 概述：半导体的一般特性 1.高纯半导体的电阻率随温度上升而下降（具有负的温度系数，与金属不同）； 2.导电性随外界影响显著变化， 光照或高能粒子辐照，电阻率下降； 有杂质时，导电性取决于杂质类型和浓度； 3.有很强的霍尔效应和温差电效应。 半导体的这些特性具有广泛的用途，但其微观机制是什么？本章将以能带理论为基础，讨论半导体电子论中具有普遍意义的基础内容。 深能级杂质往往可以形成若干个局域能级，其中有的是施主能级，有的是受主能级。 如：锗中掺银、铜或金，可在禁带中形成三个受主能级； 硅中掺铜在禁带中形成三个受主能级； 掺银或金，形成一个受主能级，一个施主能级。 以掺金为例,中性金原子是一价原子。进入硅晶体后，一价的金与周围的硅原子形成共价键，只有一根是完整的。有两种情况： （1）共价键中的电子可以跃迁到导带成为导电电子，这样金原子成为硅中的施主杂质。由于电子原本处于共价键中，所以电离能很大，～0.54eV。 （2）三根缺少电子的键可以接受价带中激发来的电子而成为受主杂质。 由于接受一个、两个或三个电子所需外界能量不同，似乎应形成三个受主能级。但实际上只测到一个，～0.35eV。 深能级杂质对导电性的影响不如浅能级杂质重要，但它们是载流子的复合中心，对半导体的光电性质有较大影响。 LD(激光二极管）的发光过程 注入电流，即注入载流子； 在有源区形成粒子数反转，导带电子不稳定，少数电子自发跃迁到价带，产生光子； 1个光子被导带中电子吸收跃迁到价带，同时释放出2个相干光子，持续这个过程，直到释放出多个相干光子，即在合适的腔内振荡放大； 光子稳定振荡，光能量大于总损耗时，LD开始工作。 半导体激光器基本结构 DH激光器工作原理 由于限制层的带隙比有源层宽，施加正向偏压后， P层的空穴和N层的电子注入有源层。 P层带隙宽，导带的能态比有源层高，对注入电子形成了势垒，注入到有源层的电子不可能扩散到P层。 同理， 注入到有源层的空穴也不可能扩散到N层。 这样，注入到有源层的电子和空穴被限制在厚0.1-0.3 μm的有源层内形成粒子数反转分布，这时只要很小的外加电流，就可以使电子和空穴浓度增大而提高效益。 另一方面，有源层的折射率比限制层高，产生的激光被限制在有源区内，因而电/光转换效率很高，输出激光的阈值电流很低，很小的散热体就可以在室温连续工作。  在PN结的N型区，在杂质激发范围内，电子浓度远高于空穴浓度，其EF应在带隙的上半部，靠近导带底；而在P型区，空穴浓度远大于电子浓度， EF在带隙的下半部接近于价带顶。即(EF)N(EF)P，于是电子将从EF高的N型区流向P型区，在PN结的界面上产生电荷的积累，形成一定的接触电势差。 这个接触电势差使得P型区相当于N型区具有负的电势－VD，从而使P型区中电子的静电势能提高了eVD，即P型区的整个电子能级上移了， eVD恰好补偿P型区与N型区EF原来的差别，即 使两边的费米能拉平。 平衡时，在接触界面处形成了一能带过渡区，在此区域内，电子和空穴的分布破坏了原来的电中性，形成一空间电荷区，其宽度约为~10－6m的数量级。此区域的强电场对N型区的电子和P型区的空穴都是一个高为eVD的势垒，称为平衡PN结势垒。 建立稳定的PN结势垒后，从N型区进入P型区电子的浓度nP0为 其中， nN0为N型区电子的平衡浓度。同理，进入N型区的空穴浓度pN0为 这里， pp0为P型区中空穴的平衡浓度。由此可知，在空间电荷区中，电子（空穴）浓度由N（P）型区的nN0（ pp0 ）按指数形式衰减到P（N）型区的nP0 （ pN0 ）。在平衡PN结中，载流子的扩散和漂移运动处于相对平衡。 二、PN结的单向导电性 若在PN结上加一外电压V，由于空间电荷区中载流子浓度很低，因而电阻很高，PN结势垒将改变eV，从而破坏了原来的平衡，引起载流子的重新分布。 1. PN结的正向注入 当PN结加正向偏压时，外加电压使空间电荷区中的电场减弱，PN结势垒降低为e(VD-V)，打破了漂移运动与扩散运动的相对平衡。由于PN结加正向偏压，将有部分电子从N型区进入P型区，空穴从P型区进入N型 P N 区，称为非平衡载流子。这种现象称为PN结的正向注入。 由于正向注入，势垒边界上的少数载流子浓度从原来的nP0↗nP和pN0↗pN，根据Boltzmann统计可求得 { 与平衡是的浓度相比，得 和 即正向偏压使界面处的少数载流子积累，其浓度提高了 倍