半导体二极管及其应用-电子线路-中国科技大学-03.ppt

作业 4-1 4-3 4-4 4-8 4-9 桥式整流电容滤波电路 a u1 u2 u1 b D4 D2 D1 D3 RL uo S C + – 电容滤波电路 1. RL未接入时 u2 t uo t 设t1时刻接通电源 t1 整流电路为电容充电 充电结束 没有电容时的输出波形 a u1 u2 u1 b D4 D2 D1 D3 RL uo S C + – 2. RL接入（且RLC较大） u2 t uo t a u1 u2 u1 b D4 D2 D1 D3 RL uo S C + – 滤波输出 整流电路的输出电流iD iD 一般取 (T:电源电压的周期) 近似估算:Uo=（1.1-1.2）U2。 (2) 流过二极管瞬时电流很大。 RLC 越大 ? Uo越高 ?负载电流的平均值越大 ; 整流管导电时间越短 ? iD的峰值电流越大 电容滤波电路的特点 (1) 输出电压 Uo与放电时间常数 RLC 有关。 RLC 愈大? 电容器放电愈慢 ? Uo(平均值)愈大 §2 半导体二极管 PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 引线 外壳线 触丝线 基片 点接触型 PN结 面接触型 P N 二极管的电路符号 高频，小电流 低频，大电流 半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 半导体二极管图片 §2.1 伏安特性 U I 死区电压 硅管0.5V,锗管0.1V。 导通压降: 硅管0.6~0.8V,锗管0.1~0.3V。 反向击穿电压UBR §2.2 二极管的等效电路 1. 理想模型 3. 折线模型 2. 恒压降模型 4. 小信号模型 二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。 即 根据 得Q点处的微变电导 则 常温下（T=300K） Q ?? 叠加 ！！ §2.3 主要参数 1. 最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压UBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UWRM一般是UBR的一半。 3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。 4. 微变电阻 rD iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 二极管：死区电压=0 .5V，正向压降?0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 RL ui uo ui uo t t 二极管的应用举例 二极管半波整流 §2.4 稳压二极管 U I IZ IZmax ?UZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡，电压越稳定。 + - UZ 动态电阻： rz越小，稳压性能越好 （4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。 （5）最大允许功耗 稳压二极管的参数: （1）稳定电压 UZ （2）电压温度系数?U（%/℃） 稳压值受温度变化影响的的系数。 （3）动态电阻 稳压二极管的应用举例 uo iZ DZ R iL i ui RL 稳压管的技术参数: 负载电阻 。 要求当输入电压由正常值发生?20%波动时，负载电压基本不变。 解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为Izmax 。 求：电阻R和输入电压 ui 的正常值。 ——方程1 令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。 ——方程2 uo iZ DZ R iL i ui RL 联立方程1、2，可解得： 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。 电阻的作用一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。 光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。 §