半导体物理-第一章-半导体中的电子状态-2014-03-11更新.ppt

半导体物理学 第一章 半导体中的电子状态 SCNU 光电学院 * 解此行列式可得： 式中： 半导体物理学 第一章 半导体中的电子状态 SCNU 光电学院 * 1.6 Si、Ge和GaAs的能带结构 回旋共振实验表明： Si的导带底附近等能面是由长轴沿100方向的6个旋转椭球等能面构成，旋转椭球的中心位于100方向上简约布里渊区中心至边界的0.85倍处。 Ge的导带底附近的等能面由长轴沿111方向的8个旋转椭球等能面构成，导带极小值对应的波矢位于111方向简约布里渊区的边界上，这样在简约布里渊区内有4个完整的椭球。 半导体物理学 第一章 半导体中的电子状态 SCNU 光电学院 * Si、Ge导带底附近等能面为绕长轴旋转的旋转椭球等能面，即mx* = my*=mt，mz*= ml，称mt和ml为横有效质量和纵有效质量。将坐标原点置于旋转椭球中心，并使kz轴与旋转椭球的长轴重合，得到 半导体物理学 第一章 半导体中的电子状态 SCNU 光电学院 * Kz Kx Ky 旋转椭球等能面 实验表明： ? Si的导带底附近有6个长轴沿 100方向的旋转椭球等能面 ? Ge的导带底附近有4个长轴沿111方向的旋转椭球等能面 半导体物理学 第一章 半导体中的电子状态 SCNU 光电学院 * 图2.10 Si和Ge的简约布里渊区和k空间导带底附近等能面示意图 GaAs的导带极小值位于k＝0处，导带极小值附近具有球形等 能面，mn* ＝0.068m0。在111方向上还存在导带的另一个 次极小值，其能量比布里渊区中心的极小值约高0.29eV。 半导体物理学 第一章 半导体中的电子状态 SCNU 光电学院 * Si、Ge和GaAs的价带结构 Si和Ge价带顶位于布里渊区中心k＝0处，并且价带是简并的。由于能带简并，Si和Ge分别具有有效质量不同的两种空穴，有效质量较大的(mp)h称为重空穴，有效质量较小的(mp)l称为轻空穴。另外由于自旋-轨道耦合作用，还给出了第三种空穴有效质量(mp)3，这个能带偏离了价带顶，空穴不常出现。对Si和Ge性质起作用的主要是重空穴和轻空穴。 GaAs价带由一个极大值稍许偏离布里渊区中心的重空穴带V1、一个极大值位于布里渊区中心的轻空穴带V2和一个自旋—轨道耦合分裂出来的第三个能带构成。第三个能带的极大值与重空穴带和轻空穴带的极大值相差0.34eV。 半导体物理学 第一章 半导体中的电子状态 SCNU 光电学院 * 图2.11 Si、Ge和GaAs的能带结构 半导体物理学 第一章 半导体中的电子状态 SCNU 光电学院 * 带隙的精确值是采用光吸收方法测定的 在直接吸收过程中，晶体吸收一个光子，同时产生一个电子和一个空穴。如图所示，由连续性光吸收在频率wg处的阈就可以确定带隙Eg =?wg 。 半导体物理学 第一章 半导体中的电子状态 SCNU 光电学院 * 直接带隙、间接带隙 半导体物理学 第一章 半导体中的电子状态 SCNU 光电学院 * 作业- §1 第35页 Group A Group B Group C 1 2 1 3 1 4 努力工作， 学习愉快！ 半导体物理学 第一章 半导体中的电子状态 SC