16第三章晶体管的开关特性与击穿电压.pptVIP

* Physics of Semiconductor Devices * 晶体管的开关特性 晶体管的击穿特性 3.10、3.11、3.12 一 开关波形和开关时间的定义 1．理想晶体管的开关波形 晶体管开关电路 理想晶体管的输入和输出脉冲波形 当输入端为脉冲波形时，在理想的情况下，输出波形和输入波形完全相仿，只是被放大和倒相。 饱和压降 晶体管处于开关状态往返于饱和（开）和截止（关）区 2．实际晶体管的开关波形与开关时间 输入电压波形 基极电流波形 集电极电流波形 输出电压波形 ① 延迟时间 ② 上升时间 ③ 贮存时间 ④ 下降时间 0.1 ICS 0.9 ICS 晶体管的开关时间： 1、开启时间 2、关闭时间 0.9 ICS 开启时间和关闭时间大致在几纳秒到几十微秒范围内。 1、当输入负脉冲的持续时间及其周期比开关时间大得多时，晶体管能很好地起开关作用 开关时间对脉冲波形的影响 2、当输入负脉冲(关断晶体管)的持续时间及其周期和开关时间相近，甚至比开关时间更小时，那么在晶体管关断过程中(下降过程)，输出电压尚未上升到高电平(晶体管还没有彻底关断)时，第二个高电平脉冲就来了晶体管又开始导通了，晶体管就失去了开关作用。 由于晶体管的开关速度的限制，输入脉冲的宽度不能太窄，频率不能太高。 二 开关过程和影响开关时间的因素 1．延迟过程和延迟时间 td 发射结保持负偏压或零偏压的状态