4第二章半导体中杂质和缺陷能级ppt.pptxVIP

中科院物理所发现硼、氮共掺杂使金属性碳纳米管转变为半导体;昭和Titanium制造的氧化钛类光催化剂粉末;实际半导体：存在缺陷并夹有杂质;第二章 半导体中杂质和缺陷能级;2.1 硅、锗晶体中的杂质能级;2.1 硅、锗晶体中的杂质能级;2.1.2 施主杂质（Ⅴ族元素） 施主能级;2.1 硅、锗晶体中的杂质能级;2.1.3 受主杂质（ Ⅲ族元素） 受主能级;2.1 硅、锗晶体中的杂质能级;2.1 硅、锗晶体中的杂质能级;2.1 硅、锗晶体中的杂质能级;2.1 硅、锗晶体中的杂质能级;2.1 硅、锗晶体中的杂质能级;2.1 硅、锗晶体中的杂质能级;2.1 硅、锗晶体中的杂质能级;第二章 半导体中杂质和缺陷能级;2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级;第二章 半导体中杂质和缺陷能级;2.3 缺陷、位错能级;2.3 缺陷、位错能级;位错的形成原因：应力作用使得晶格发生畸变。 位错类型：基本类型是刃型位错（棱位错）和螺型位错;棱位错对半导体性能的影响： 1）位错线上的悬挂键可以接受电子变为负电中心，表现为受主；悬挂键上的一个电子也可以被释放出来而变为正电中心，此时表现为施主，即不饱和的悬挂键具有双性行为，可以起受主作用，也可以起施主作用。 2）位错线处晶格变形，导致能带变形 ; 3）位错线影响杂质分布均匀性 4）位错线若接受电子变成负电中心，对载流子有散射作用。 5）影响少子寿命，原因：一是能