07-第7章半导体存储器和可编程逻辑器件(117).ppt

T2是门控管 T1是浮栅隧道氧化层MOS管（简称Flotox管） E2PROM存储单元 浮栅 Flotox管剖面示意图 1 状态： 令Wi=1、Yj=0，则T2导通，T1漏极D1接近0电平，然后在擦写栅G1加上21V正脉冲，就可以在浮栅与漏极区之间的极薄绝缘层内出现隧道，通过隧道效应，使电子注入浮栅。 0 状态： 擦写栅接0电平、Wi=1、Yj加上21V正脉冲,使T1漏极获得大约+20V的高电压,则浮栅上的电子通过隧道返回衬底，则浮栅上就没有注入电子,定义为0状态。 根据浮栅上是否注入电子来定义0和1状态 浮栅注入电子是利用隧道效应进行的。 信息写入 读出1： 擦写栅加+3V电压，字线加+5V正常电平，这时T2管导通，若浮栅上有注入电子，则T1不能导通，在位线上可读出1. 读出0: 若浮栅上没有注入电子，则T1导通，在位线上可读出0。 信息读出 擦写栅和待擦除单元的字线上加21V的正脉冲，漏极接低电平，即可使存储单元回到写入0前的状态，完成擦除操作。 早期E2PROM芯片都需用高电压脉冲进行编程和擦写，由专用编程器来完成。 但目前绝大多数E2PROM集成芯片都在内部设置了升压电路，使擦、写、读都可在+5V电源下进行，不需要编程器。 信息擦除 快闪只读存储器是在吸收