电工与电子技术基础配套教学课件徐秀平16 半导体存储器.pptVIP

由于一片存储器的容量有限，所以在字数不够或每个字的位数不够时，需要将若干个存储器芯片组合到一起，接成容量更大的存储体。 16.3 存储器容量的扩展 若每一片存储器的字数够而位数不够时，应采用位扩展方式，以扩大每个字的位数。位扩展的连接方式很简单，只需将各片的地址输入端、读写控制端、片选端并连起来即可。 16.3.1位扩展方式 下图是由两片2114（1024×4位）扩展成1024×8位的RAM电路连线图。 16.3.2 字扩展方式 若每一片存储器(ROM或RAM）的数据位数够而字数不够时，则需要采用字扩展方式，以扩大整个存储器的字数，得到字数更多的存储器。 图16－11为用4片2114（1024×4位）的RAM接成一个4096×4位的RAM接线图。 一片2114只有10位地址输入线A9-A0，接成4096个字的存储体需要12根地址线 A11-A0，用A11、A10通过2—4译码器译出4个信号，分别控制4个芯片的轮流选通。 如果既要字数扩展又要位数扩展，将上述两种方式结合起来即可。 表16-4 图16-11 中各片 电路的地址分配 器件编号 地址范围 (等效十六进制数) RAM（1） 0 0 0 1 1 1 0000 0000 0000~0011 1111 1111(000H~3FFH) RAM（2） 0 1 1 0 1 1 0100 0000 0000~0111 1111 1111(400H~7FFH) RAM（3） 1 0 1 1 0 1 1000 0000 0000~1011 1111 1111(800H~BFFH) RAM（4） 1 1 1 1 1 0 1100 0000 0000~1111 1111 1111(C00H~FFFH) * * * * * * * * * * * * * * * * * * 电工与电子技术基础 电工与电子技术基础 电工与电子技术基础 电工与电子技术基础 电工与电子技术基础 电工与电子技术基础 电工与电子技术基础 电工与电子技术基础 电工与电子技术基础 电工与电子技术基础 第16章 半导体存储器 本章要点 本章主要介绍只读存储器ROM和随机存取存储器RAM的结构组成、功能特点、应用场合、容量扩展及应用，重点是存储器容量的扩展及将ROM作为组合逻辑函数发生器。 当今数字系统的应用日益广泛，数字数据的存储和处理是数字系统的基本功能，因而能存储大量二进制数据的半导体器件是数字系统必不可少的部件之一。 你知道吗？ 存储量和存取速度作为衡量存储器性能的两个重要指标。 半导体存储器具有存储密度高、速度快、功耗低、体积小、使用方便等优点，故其发展迅速、应用普遍。 目前动态存储器的容量已达109位/片，一些高速存储器的存取时间仅10ns左右。 半导体存储器就是能存储大量二值信息（或称作二值数据）的半导体器件。它是属于大规模集成电路，由于计算机以及一些数字系统中要存储大量的数据，因此存储器是数字系统中不可缺少的组成部。 半导体存储器从工艺上可分为双极型和MOS型两大类。MOS型电路（尤其是CMOS电路）具有功耗低、集成度高的优点，所以目前大容量的存储器几乎都采用MOS工艺制成。 半导体存储器的种类很多，从存取的功能上分为只读存储器（ROM）和随机存取存储器（RAM）两大类。 ROM的特点是在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速随时修改或重新写入数据。其电路结构简单，而且断电后数据也不会丢失。缺点是只能用于存储一些固定数据的场合。 ROM可分为掩模ROM、可编程ROM（简称PROM）和可改写ROM（简称EPROM）。 16.1 只读存储器(ROM) 不管是哪种ROM，它们在总体结构、工作原理和使用方法上基本相同。所有的ROM电路结构都包含地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器三个组成部分，如下图所示。 （1） 存储矩阵是由许多存储单元排列而成。存储单元可以是二极管、双极型三极管或MOS管，每个单元能存放1位二值代码（0或1)，而每一个或一组存储单元有一个相应的地址代码。 （2）地址译码器是将输入的地址代码译成相应的控制信号，利用这个控制信号从存储矩阵中把指定的单元选出，并把其中的数据送到输出缓冲器。 （3）输出缓冲器的作用提高存储器的带负载能力，另外是实现对输出状态的三态控制，以便与系统的总线相联。 1. 二极管掩膜ROM 16.1.1 掩模只读存储器 掩膜ROM内部所存储的信息是由