电子信息物理学5.pptVIP

AlxGa1-xAs的AL组分x增加，导致 Eg增大，折射率n减小 异质结两侧材料折射率不同 光线总是弯向折射率 较大的区域中传播 光总是在窄带材料中传播 异质结的光限制作用 不同材料，相同材料不同组分 构成异质结PD: 缺点：晶格常数不匹配，暗电流较大 优点：量子效率提高，响应速度上升、选择响应窗口 背面照射结构 光电二极管 能同时探测两个波段异质结 光电二极管 5.4.3 异质结雪崩光电二极管 异质结雪崩光电二极管优点（与Si或Ge－APD比较） 波长可调谐 暗电流低 量子效率高 响应速度快 工艺要求 降低隧道电流 减少异质结界面处电荷积累 制作保护环层 材料A：Al0.45Ga0.55As: 厚度55nm，电子和空穴电离率比值 材料B：GaAs: 厚度45nm、电子和空穴电离率比值 异质结： 50层交替 周期性异质结（25）： 电子自由程为50nm 超晶格结构 超晶格结构： AlGaAs中光激发电子空穴对，碰撞电离产生电子空穴对 较大 倍增电子进入GaAs层，能量比导带底高 热电子碰撞电离，电离率较大 电子加速，从势阱跌到下一层AlGaAs，继续碰撞电离 很小： 附加能量很小，效应不显著 超晶格结构K≧10 ,作为雪崩光电二极管的耗尽区约为2500nm 5.4.4 光晶体管 光照射光晶体管，产生光生载流子