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第2章 时变电磁场 2.2 麦克斯韦方程组的微分形式 麦克斯韦方程组实际上是由法拉第电磁感应定律、安培环路定律和高斯定律构成。 完整描述电磁场的特性同时需要法拉第电磁感应定律、安培环路定律、高斯定理和电荷守恒定理。 只适用于场量和源一阶可微的情况，否则只能利用积分形式 反映了场与源之间的局部特性 J为磁场的旋度源之一，ρ为电场的散度源(磁场无散度源)，时变电场与时变磁场互为对方的旋度源 满足线性叠加原理 便于计算 第3节 电磁场定理 静电场和恒定磁场的特性 第4节 边界条件 边界条件总结 任何分界面两侧的电场强度的切向分量总是连续的 任何分界面两侧的磁感应强度的法向分量总是连续的 分界面上存在面电荷时，电位移矢量的法向分量不连续 分界面上存在面电流时，磁场强度的切向分量不连续 对于时变电磁场，只要电场强度的切向分量满足边界条件，那么磁感应强度的法向分量的边界条件也必然满足；若磁场强度的切向分量满足边界条件，则电位移矢量的法向分量也必然满足边界条件。所以求解电磁场时，只需应用电场强度和磁场强度的切向分量边界条件即可。 第5节 电磁场能量 第6节 动态矢量位和标量位 动态矢量位 和标量位 达朗贝尔方程 4.1 不同媒质分界面上的边界条件 ?1，?1 ?2， ?1 n h ?1 ?2 H2 H1 H1t H2t ?l c E2 E1 E2t E1t ?1，?1 ?2，?2 h ?1 ?2 B2 B1 B1n B2n ?S D2 D1 D2n D1n n 4.2 理想介质表面的边界条件 ??0， ρs = Js = 0 ?，? n ρs = Js = 0 E ??0 H 4.3 理想导体表面的边界条件 ??? ，E2 = 0 B、H 与 t 无关，可看作附加的恒定磁场，不予考虑 ?，? n D2 = E2 = 0 E ??? H ?Js - - - - - - - - - - 结 论 ⑴ 理想导体外侧的电场只可能有法向分量； ⑵ 理想导体外侧的磁场只可能有切向分量； ⑶ 理想导体内不能存在电磁场；电磁波投射到 其表面时总是发生全反射而没有功率进入导体。 同轴线内导体半径 a=1mm，外导体半径b=4mm，内充均匀介质?r=1，?r =2.25，? = 0。已知内外导体之间 ①验证此电磁场满足理想导体的边界条件；②求出单位长度内外导体上分布的?l(a)、 ?l(b)和面电流i (a) 、 i (b)。 解： ① E=a? E?→ n 满足 Et = 0 H=a? H?→ t 满足 Hn = 0 例 ② 一、时域的玻印廷定理 J外源=0 玻印廷矢量（能流矢量） E H S 玻印廷定理 完纯介质中，? = 0 物理意义： 外界经闭合曲面S流入V内的全部电磁功率等于V内导体的焦耳热与V内的电磁场能量的时间变化率之和——电磁场中的能量守恒定律。 二、玻印廷矢量的平均值 对时谐场 与电路比较 定义复玻印廷矢量 电力线的性质： ▲ E线不能相交; ▲ E线愈密处，场强愈大; ▲ E线与等位线（面）正交； ▲ E线起始于正电荷，终止于负电荷; ▲ E线的方向即为电场的方向。 求线电荷密度为?l的无限长带电直线的电场。 解： （1）建立适当的坐标系 电荷分布具有轴对称性，选柱坐标系 （2）分析场的分布特征 z a? P(???,z )? ? 电场沿径向分布，只有E?分量，E=a? E? （3）根据场分布作一闭合面——高斯面 取高度为1的闭合圆柱面，即S= a? S侧+ azS上底 - azS下底 （4）代入高斯定律中计算： 即 ?l?0 时 例 无限大平面均匀带电，电荷面密度为 ，求电场强度。 解：（1）电荷分布具有平面对称性， 选取直角坐标系 （2）均匀面电荷产生的电场垂直于带电平面 （3）以带电平面为对称面，作一平行六 面体，设其侧面面积为?S。 x ?s?0 结论：无限大均匀带电平面在两侧产生反向均匀电场 -x O x S 例 半径为a的球中充满密度为?(r)的电荷，已知电场为 求电荷密度 ? (r) 。 解： 例 磁场高斯定理的积分形式为： 应用散度定理，可得高斯定理的微分形式： 二、磁场的高斯定理 表明磁场为无散场 磁通连续性方程 电流回路 c 产生的磁场为 在此磁场中任取一闭合面 ( B ? C ) ? A= B ? ( C ? A ) n B 求磁感应强度穿过任意闭合面的通量 证明： Idl dB aR dB aR Idl = 0 ??B = 0 ( B ? C ) ? A= B ? ( C ? A ) 磁通连续性原理 穿出闭合曲面的磁通量恒为零。这意味着所有的磁力线都是闭合的，即磁