第5章获取材料II.pptVIP

（2）是一种本征半导体材料，其光吸收系数比非本征半导体材料大得多； （3）热激发速率小； （4）有较小的电子有效质量、很高的电子迁移率、较低的本征载流子浓度和较小的介电常数； （5）热膨胀系数与硅接近。 这种材料的应用十分广泛，人们已研制出了光导型与光伏型探测器。 1. Hg1-xCdxTe材料的特点 40多年来，MCT晶体一直是最受重视的红外探测器材料。其薄膜材料制备采用了MBE和MOCVD技术。HgCdTe单晶的制备是比较困难的： 2.Hg1-xCdxTe材料的制备 （1）HgTe-CdTe赝二元系的相图中液相线与固相线之间有显著的差别； （2）熔体化学计量配比的偏离容易引起Te组元过剩； （3）汞蒸气压工艺控制困难； （4）晶体中Hg-Te的键合力弱； （5）晶体的径向组分均匀性明显依赖于固－液界面的形状。 （1）HgCdTe异质结材料 （2）HgCdTe双色与多色红外探测器材料 （3）以硅为衬底的HgCdTe薄膜材料 3. HgCdTe红外焦平面探测器薄膜材料 （1）CdTe晶体材料 主要的晶体生长工艺有：布里奇曼法、高压釜布里奇曼工艺和改进的控制蒸发技术。 （2）CZT晶体材料 用CZT材料作衬底外延MCT薄膜的优点是：“零失配”，利于优质薄膜的生长；它位错密度比CdTe晶体低一个数量级；衬底制备工艺要容易。 （3）CdTe和CZT薄膜材料 随着MCT