实际晶体中位错的.ppt

如何判断扭折是否是割阶？ 判据：交割后折线段的滑移面是否与原位错的滑移面重合， 若重合则可在位错运动中消失，扭折； 若不重合则叫割阶。 割阶按是否可以随原位错一起滑动又分为可动割阶和不可动割阶。 折线段的滑移面是交割后的折线段与其柏氏矢量构成的平面。 （1）在凝固过程中形成 树枝状晶体生长相遇后发生碰撞； 液体流动时对晶体的冲击，使晶体表面发生错排形成大台阶； 浓度起伏造成点阵常数的偏差； 结晶前沿障碍物造成不同部分的位相差。 （2）由晶体在冷却时形成的局部内应力所造成 (c) C，B处分别是右左螺型位错; (d) 异号螺位错相遇抵消，产生一个位错环。 （3）由空位聚集形成 在高温时，晶体中的空位浓度很高，有聚集成片以降低组台能的趋势，晶体中空位片足够大时两边晶体塌陷下来，在周围形成位错环。 面心立方晶体中，空位常在{111}晶面上聚集成片。该位错环是刃型位错。 （1）弗兰克-瑞德增殖机理 以正刃型位错AB为例： 位错受力大小：F=tb 位错受力方向：垂直位错 各点受力相同，各点线速度相同，离A、B越近，角速度大，形成点弯曲。 位错线上各点性质不同： 2、4 负刃位错 6正刃位错 1、5右螺型位错 3、7左螺型位错 AB位错线段是一个位错的增值机构,在外力作用下能源源不断地产生位错环。 （2）位错源的开动受力分析 若F-R源中AB长L,使AB弯曲的最小曲率半径r=L/2，对应临界应力为： 在简单立方结构中的位错，其 b 总是等于点阵矢量。实际晶体中根据柏氏矢量的不同，可把位错分为以下几种形式； （1） b 等于单位点阵矢量的称为“单位位错”。 （2） b等于单位点阵矢量的整数倍的为“全位错” （3） b 不等于单位点阵矢量或其整数倍的为“不全位错”或称“部分位错” 柏氏矢量可用数字及符号表示 对fcc晶体，[110]是原子最密排的晶向，此晶向相邻两原子在三坐标轴上的投影为a/2、a/2、0，故单位位错柏氏矢量: bcc hcp 柏氏矢量可以相加，设 = 1+ 2，其中 1=[100]， 则 本节只讨论面心立方金属中的位错 ? 层错区与完整晶体的交界处，为“不全位错”。 1．肖克莱（Shockley）不全位错如图，为fcc晶体的（ ）面，使A层以上原子相对于C层作滑移，使A→B→C→A→B，此时滑移是不均匀的，即滑移中止在晶体内部，这样就在局部地区形成层错。其与完整晶体的交界区域即为Shockley不全位错。 特征：（1） （2） ，且垂直于位错线，为纯刃型，也可为纯螺型或混合型 （3）可滑移，不能攀移，即可在具有堆垛层错的{111}面上滑移，引起层错面的扩散或收缩，但不能离开层错面。 2．弗兰克（Frank）不全位错 在fcc晶体中插入或抽走一层（111）面，就会形成堆垛层错。若插入或抽走的只是一部分，层错与完整晶体边界即所谓“Frank位错”。如图6-60，为插入型弗兰克不全位错（叫正弗兰克不全位错），抽出型如图6-61（叫负弗兰克不全位错）。 ? 正弗兰克位错可由填隙原子聚集成园盘而形成 负弗兰克位错可由空位盘崩塌而形成。 特征：1） ， b与层错面和位错 线垂直，故是纯刃型 2）只能攀移，而攀移必须借助原子的扩散，故运动困难，称为固定位错。 不全位错的柏氏矢量亦可通过柏氏回路的方法确定，但回路的起点应选择在层错面上。 3.位错反应与扩展位错 (1) 位错反应 位错除相互作用外，还可能发生分解或合成，即位错反应。位错反应有两个条件。 1）几何条件：反应前各位错柏氏矢量之和应等于反应后各 之和 即 Σ 前=Σ 后 2）能量条件：能量降低的过程 ∵ E∝b2 ∴ Σb2前≥Σb2后 1953年汤普森（N. Thompson）引入参考四面体和一套标记来描述fcc金属中位错反应，如图6-62。将四面体以ΔABC为底展开，各个线段的点阵矢量，即为汤普森记号，它把fcc金属中重要滑移面、滑移方向、柏氏矢量简单而清晰地表示出来。 汤普森（N. Thompson）四面体 图中四面体的六个棱AB、DC……为全位错的柏氏矢量110 aα、bβ……为弗兰克不全位错111 Aδ、Dγ……为肖克莱不全位错112 （a）=（