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* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 有源层电阻(续) P+扩散分别与有源区形成P+有源层电阻。有源层通过接触孔与第一层金属连接，金属构成有源层电阻的两个电极。 P+有源层电阻的方块电阻值为153.4欧姆，每个接触孔形成的电阻为118.5欧姆。电阻一般为几百到几千欧姆。 P+有源层电阻俯视图 阱区电阻 为了引出N阱电阻的两个电极，在N阱中进行N+扩散，该扩散区与有源层形成N型有源区，有源区再通过接触孔和金属连接形成欧姆接触，金属构成了电阻的两个电极。 N阱电阻的方块电阻值为1011欧姆，该电阻一般在几kΩ到几百kΩ。 电容(Capacitance) TSMC_0.35?m工艺制作的电容是一种结构简单的MIM电容，该电容由三层介质组成： 导电层作为下电极 绝缘层作为平板电容两电极间的介质 导电层作为上电极 电容计算公式 其中，area是两导电层重叠区域的面积，Carea[fF/?m2]是单位有效面积的电容量, perimeter 是两导电层重叠区域的周长，Cfringe[fF/?m]是单位长度电容量。电容的可变参数为：两导电层重叠区域一边的长度(y[λ])、电容值(Ctotal[F])。 互连(Interconnect) 在TSMC_0.35?m的集成电路工艺流