10双极型器件设计与性能.pptVIP

* * * 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 采用目前硅集成电路工艺; 速度提高80% (210 GHz或更高)，功耗降低50%. SiGe基晶体管 半导体器件原理 南京大学 二、双极型器件的性能参数 1.双极型器件的特点 2.数字双极型电路 3.数字双极型电路的优化 4.ECL电路中双极型器件的等比例缩小 5.模拟电路中双极型器件的优化 半导体器件原理 南京大学 双极型器件的优化会影响其它双极型器件的性能, 它是一折衷的过程. 优化过程应在电路或芯片水平上, 是一应用与环境的函数. 1。 双极型晶体管的特点 截止频率 优化双极型器件性能的最常用参数 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 2. 数字双极型(反相)电路 Vin=Vref+(-)V/2 半导体器件原理 南京大学 1) 逻辑门的延迟部分 半导体器件原理 南京大学 (1)渡越时间延迟 低电流下与IC无关, 高电流下(基区扩展时)随IC增大而增加. 在高性能数字电路设计中输运时间延迟是主要的延迟部分. (2)本征基区电阻延迟 低电流下与IC无关, 高电流下(基区扩展时),基区电阻减小,使之随IC增大而减小, 一般该延迟很小. (3)寄生电阻(发射与集电极)延迟 不依赖于工作电流, 一般很小. 半导体器件原理 南京大学 (4)负载电阻延迟 RL