场效应晶体管-MOSFET-公开课件（讲义）.pptVIP

半导体器件原理 南京大学 c: ?F ?s 2?F：从p区反型成n区，弱反型。 ?s? 2?F，强反型。 Qsc?随?s指数上升。 （电子对表面电场的屏蔽作用） 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 (三) ?s及W与外加偏压的关系 外加电压降落在二氧化硅层和半导体表面内的空间电荷区上。 半导体器件原理 南京大学 1）对耗尽层情况： 由氧化层厚度，半导体掺杂浓度，可得?s随VG的变化关系。 半导体器件原理 南京大学 2）对强反型情况： 空间电荷密度还包括载流子，耗尽层宽度达极大值。 外加电压只引起反型层中电子浓度的增加以及金属电极上正电荷的增加。 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 Qd: 多子响应时间~10-12 s Qi : 少子响应时间~ 10-6 s * * * * * * * * * * * * * 则响应时间为： 该值的典型值为：0.1~10秒。因此，当交变电压信号的频率高于100Hz时，反型层电荷将跟不上栅压的变化，只有耗尽电荷（多子行为）能够跟随电压信号的变化而变化，于是，Si电容只由耗尽层电容决定，由此确定的最小电容值发生在发生强反型的最大耗尽层厚度情形，表达式为： 图8-12 ③ ③ 半导体器件原理 南京大学 n-Si与p-Si的MOS CV曲