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原子层沉积法制备氧化锌薄膜研究进展 摘要：ZnO做为第三代半导体材料，其禁带宽度大，达到3.4eV,可以广泛的应用于制造蓝绿光和紫外光的光电器件。原子层沉积技术（ALD）是近些年发展起来的薄膜制备技术，由于该技术制备的薄膜性能优异、厚度可控且保型性好，也越来越受到人们的关注。本文主要概述原子层沉积法制备氧化锌薄膜的研究进展。 关键词：氧化锌，原子层沉积，薄膜，进展 1.引言 ZnO做为第三代半导体材料，由于其禁带宽度大，可以广泛的应用于制造蓝绿光和紫外光的光电器件，同时还具有电子漂移饱和速度高、介电常数小等特点，因此，成为当下半导体材料的研究热点 \o LU, 2014 #45 ADDIN EN.CITE EndNoteCiteAuthorLU/AuthorYear2014/YearRecNum45/RecNumDisplayTextstyle face=superscript1/style/DisplayTextrecordrec-number45/rec-numberforeign-keyskey app=EN db-id=p9vvrvffxfw0pce9rf5v95stvadwvd0r52rf45/key/foreign-keysref-type name=Generic13/ref-typecontributorsauthorsauthorWeiapos;er LU/