数字电路课件第3章.pptVIP

* 产生反向恢复过程的原因是电荷存储效应所引起的（在此不细讲）。反向恢复时间就是存储电荷消失所需要的时间，一般在纳秒数量级。 * 产生反向恢复过程的原因是电荷存储效应所引起的（在此不细讲）。反向恢复时间就是存储电荷消失所需要的时间，一般在纳秒数量级。 * * * * （动画:用蓝字当TTL反相器?I由3.6V变0.2V的瞬间激活动画：图中的?I 处画 箭头闪动--- T1 的基极标上0.9V---- T2、T3 显绿色---T1 的集电极标上1.4V----由T1 的集电极向发射极沿T1 慢慢画出一条曲线表示T1 管产生导通电流) * （动画:用蓝字当TTL反相器?I由3.6V变0.2V的瞬间激活动画：图中的?I 处画 箭头闪动--- T1 的基极标上0.9V---- T2、T3 显绿色---T1 的集电极标上1.4V----由T1 的集电极向发射极沿T1 慢慢画出一条曲线表示T1 管产生导通电流) * TTL与非门各级工作状态 * 集电极开路门的缺点： 由于OC门输出不是推拉式(Totem)结构，电路的上升延迟很大，这是因为： T3退出饱和状态很慢； 对输出负载电容的充电电流只能通过外接的RL来提供。因此，输出波形的上升沿时间很大。 3.4.6 TTL或非门、OC门和三态门电路 * 3. 三态与非门(TSL ) 三态钳位电路 R 1 R 2