第十一章BJT的静态特性.pptVIP

第11章 BJT的静态特性 11.1 理想晶体管模型 （作业2，7，8） 11.2 理论和实验的偏差（作业） 11.3 现代BJT结构（作业）(11.17) 11.1 理想晶体管模型 1. 理想BJT的基本假设 2. 各区的少子分布函数 3. 流过E-B结和C-B结的电子、空穴电流 4. 特性参数 1. 理想BJT的基本假设 （1）E-B结和C-B结都是均匀突变结 （2）小注入 （3）耗尽层近似 （4）忽略耗尽层中的产生-复合效应 （5）发射区和集电区的准中性宽度远大于少子的 扩散长度 （6）忽略串联电阻效应 （7）晶体管在稳态条件下工作 坐标系和材料参数符号说明 2. 各区的少子分布函数 方法步骤： （1）扩散方程 （2）边界条件 （3）求解方程得到少子分布函数表达式 （4）由少子分布函数求出流过E-B结和C-B 结的电流IEp，IEn, ICp, ICn （5）根据?，?T，?dc, ?dc的定义求出特性参数 扩散方程和边界条件 由pn结定律得耗尽层的边界条件 发射区的扩散方程和边界条件 发射区的少子分布规律和电流 集电区的扩散方程和边界条件 基区的扩散方程和边界条件 基区的少子分布规律 简化关系式 因为基区宽度远小于少子的扩散长度，即WLB，0?x?W 基区少子分布的简化求解方法 基区的少子分布规律 3 流过发射区、集电