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晶体二极管;1.1 半导体物理基础知识;电子线路:指包含电子器件、并能对电信号实现某种处理的功能电路。;半导体二极管的结构;(3) 平面型二极管;构成:实质上就是一个PN结。;;半导体二极管图片;半导体二极管图片;半导体二极管图片;半导体二极管图片;1.0 概述;(按电导率分);1、硅 ( Si ) 、2、锗 ( Ge ) 原子结构及简化模型:; 一、硅和锗的单晶称为本征半导体。它们是制造半导体器件的基本材料。;
;当T升高或光线照射时; 当原子中的价电子激发为自由电子时,原子中留下空位,同时原子因失???价电子而带正电。;空穴的移动;温度一定时:
激发与复合在某一热平衡值上达到动态平衡。; 一、N型(电子型)半导体:; ; 二、P型(空穴型)半导体; P型半导体的特点:; 三、杂质半导体中(多子和少子)热平衡载流子 浓度?; 掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大
的影响,一些典型的数据如下:例1—3。;1.1.3 两种导电机理——漂移和扩散;电导率:;载流子在浓度差作用下的运动,称为扩散运动,所形成的电流,称为扩散电流。P、N。
P10,导/半区别, 有/无电场 = 有/无 电荷量差。浓度差。;1.2 P+N结;1.2.1 动态平衡下的P+N结; ①PN结的电位差为VB; 注意:掺杂浓度(Na、Nd)越大,内建电位差 VB
越大,阻挡层宽度 l0 越小(1-2-5)。Xn、Xp; 本征半导体、杂质半导体。;1.2.2 PN结的伏安特性(单向导电性); 二、PN结反偏伏安特性:;R; 三、PN结——伏安特性方程式; PN结——伏安特性曲线;图 二极管的伏安特性曲线;开启电压:VD(on);|V反|?=V(BR)时,
? IR急剧??? ,
? PN结反向击穿。 ;因为T? ? 载流子运动的平均自由路程? ?V(BR)?。;稳压管的主要参数:;1.2.4 PN结的电容特性; 1.2.4 PN结的电容效应; 三、PN结电容;1.3 晶体二极管电路的分析方法;一、数学模型—伏安特性方程式;二、曲线模型—伏安特性曲线;1、定义:理想二极管;三、直流简化电路模型;四、交流小信号电路模型;迭、叠加原理 !!P80;说 明;数值计算法;一、图解分析法:1-15,一个交点!;P26,图1-3-7:已知电路参数和二极管伏安特性曲线,试求电路的静态工作点电压和电流。; 二、简化电路分析法 1-16,1-20;(1)参P40,例2:设二极管是理想的,求VAO值。; 忽略二极管正向压降、导通电阻,D1看作短路。;(2)画输出信号波形vO方法: 1-16(b) ;VR;例5: 1-16(a)理想二极管电路中 vi=Vm sinωt(V),求输出波形v0。;简化电路分析法,书例2:P28-29。;② VA 25V ,D1导通,D2截止。 VA<100V !!;VI;三、小信号分析法 1-14,1-17,1-18 ;1.4 晶体二极管的应用;1、整流电路:将工频交流电转为具有直流电成分的电流(电压)。
2、滤波电路:将脉动直流中的交流成分滤除,输出比较平滑的脉动直流成分。
3、稳压电路:进一步稳定,整流后的脉动直流电压。; 一、整流电路;单相半波整流电路;图:单相半波整流电路各处波形;2、电容滤波电路(半波);当0tt1时,u2uc D导通,u0=uc=u2
当t1tt2时,u2uc D截止;
当t2tt3时,u2uc D导通,u0=uc=u2
(2)波形如图所示:变平些了。;2、电容滤波电路; 二、稳压电路;稳压管的伏安特性与模型:P31 ;D;1.4.2 限幅电路(或削波电路?)参题1-20;vi;(1)突出优点:抗干扰能力强,可大量传输信息,且传输功耗小,工作可靠。; (2)结构:与普通PN结二极管类似,但在其PN结处,有玻璃窗口能接收外部的光照,PN结在反向偏置下工作,它的反向电流随光照强度增加而上升。 (3)主要特点:反向电流与照度成正比。无光照时,反向电流很小,称为暗电流;有光照时,反向电流很大,称为光电流。;(4)光敏二极管外形及表示符号:; 2、发光二极管(含激光二极管); 主要特点:工作在正向偏置,在正向电流达到一定值时发光。一般发光电流为几毫安到几十毫安。;复 习;;11.1 引言
11.2 PSPICE功能及特点
11.3 PSPICE的基本构成
11.4 PSPICE文本描述
11.5 PSPICE窗口版的功能应用
;PSPICE是机辅分析和设计的电子电路模拟软件。能进行模拟电路分析、数字电路分析和模拟数字混合电路分析。
硬件设计实现之前,先对电路进行模拟分析,器件的模型、系统的调整、测试全由
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