晶体管结构和作用课件.pptVIP

晶体管结构和作用;主要内容;;本征半导体;掺杂物半导体;PN结与二极管的特性与构造;PN结的电流特性;电 至光 转换;场效应晶体管（MOSFET） ;;特 性 与NMOS动作相反，当Vg ＜ 0 ，且绝对值较大时，栅极与N-Si的界面间形成空孔富集层（空孔隧道），源极与漏极连通，电流才能通过。 由于空孔的移动速度低于电子，故动作速度比NMOS慢，应用较少。 电子迁移率=1350cm2/V·S， 空孔迁移率= 480cm2/V·S ;两个pn结偏置状态相反 沟道由反型层构成，与源漏形成通路;P;NMOS电流电压特性;栅的作用类似与水闸的闸??;CMOS：Complemetary Metal-Oxide Semiconductor;将PMOS和NMOS做在同一集成电路上就形成了互补型金属氧化物半导体技术，也就是CMOS技术 主要特点为功耗低，是集成电路中被广泛采用的基本回路;CMOS应用例1：反相器;CMOS应用例2：乘法逻辑电路;CMOS应用例3：存储器;DRAM:四管动态MOS存储单元;CMOS应用例4：图像传感器（CIS）; 首先，外界光照射像素阵列，发生光电效应，在像素单元内产生相应的电荷。 行选择逻辑单元根据需要，选通相应的行像素单元。 行像素单元内的图像信号通过各自所在列的信号总线传输到对应的模拟信号处理单元以及A/D转换器，转换成数字图像信号输出。;首先进入“复位状态”，此时打开门管M。电容被充电至V，二极管处于反向状态； 然后进人“取样状态”。这时关闭门管M,在光照下二极管产生光电流，使电容上存贮的电荷放电，经过一个固定时间间隔后，电容C上存留的电荷量就与光照成正比例，这时就将一幅图像摄入到了敏感元件阵列之中了； 最后进入“读出状态”。这时再打开门管M,逐个读取各像素中电容C上存贮的电荷电压。;CMOS应用例5：互补对称功放电路;小结