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永磁同步电动机教材;;;永磁材料;永磁体的磁稳定性;永磁同步电动机; 永磁同步电动机分类; 永磁同步电动机的总体结构; 永磁直流无刷电动机结构示意图; 调速永磁同步电动机结构示意图; 永磁同步电动机的转子结构;;同步电机与感应（异步）电机的区别;同步电机与感应（异步）电机的区别（续）; ;; ;1. 概论 ;1.2 感应电动机调速的基本方法 ;感应电动机调速的基本方法;（1）转差功率消耗型调速系统 ;（2）转差功率回馈型调速系统 ; （3）转差功率不变型调速系统 ; 变频调速的特点 ;感应电机变频调速 ; 变频调速的基本控制方式 ;;1. 基频以下调速 ;1. 基频以下调速;2. 基频以上调速;感应电机变频调速控制特性 ; 变频器的基本构成 ;交—交变频器的结构 ;交—交变频器单相输出电压和电流波形 ;交－交变频器的主要特点 ;;2. 交－直—交变频器 ; 交－直—交变频器的基本结构 ; 交－直—交变频器的基本结构 ;交－直－交变频器的主要特点 ;a）电压源型三相串联电感式逆变器 ;b）电压源型具有辅助换流晶闸管的逆变器 ;c）电流源型逆变器 ; d）PWM逆变器 ; 变频器的分类 ;1. 按直流侧电源性质分 ;;2. 按输出电压调节方式分 ;结 论; 感应电机的标量控制 ; 数字控制的SPWM变频调速系统 ;SPWM变频器输入电流波形 ;SPWM变压变频器的基本控制作用图;SPWM变压变频器的基本控制作用图 ; IGBT的基础知识; IGBT的开关作用是通过施加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT关断。 IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极 N沟道 MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从 P+ 基极注入到 N 一层的空穴（少子），对N一层进行电导调制，减小N一层的电阻，使IGBT在高电压????时也具有低的通态电压。 ;;;?IGBT 的工作特性包括静态和动态两类： ??????1 ．静态特性  IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。 ??????IGBT的伏安特性是指以栅源电压 Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制， Ugs 越高， Id 越大。它与 GTR 的输出特性相似。也可分为饱和区 1 、放大区 2 和击穿特性 3 部分。在截止状态下的 IGBT ，正向电压由 J2 结承担，反向电压由 J1 结承担。如果无??N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入 N+ 缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。 ; ? IGBT的转移特性是指输出漏极电流 Id 与栅源电压 Ugs 之间的关系曲线。它与 MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压 Ugs(th) 时， IGBT 处于关断状态。在 IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与 Ugs 呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为?? 15V 左右。 ??????IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。 IGBT处于导通态时，由于它的 PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其 B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过 MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。; 2 ．动态特性 IGBT在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET来运行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td为开通延迟时间，tr为电流上升时间。 开通时间ton= td+ tr+tfu1+tfu2 IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为 MOSFET 关断后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间， ts为关断延迟时间， tt为电压Uds的上升时间。 关断时间toff= ts+ tt +tfi1+tfi2;IGBT的导通与关断时间;Sky永磁同步无齿轮 曳引机介绍; 包括内转子结构（WYT-Y系列）和外转子结构（WYT-S系列）两大系列，主要由永磁同步电动机、曳引轮及制动系统组成。永磁同步电动机采用高性能永磁材料和特殊的电机结构，具有低速、大转矩特性。曳引轮与制动轮为同轴固定联接，并直接安装在电动机的轴伸端；由制动体、制动轮、制动臂和制动瓦等组成曳