非线非线性光学原理与进展钱世雄D-公开课件（讲义）.pptVIP

第３章耦合波方程和光学二次谐波的产生 §３．１耦合波方程 一、　非线性波动方程 §３.２光学二次谐波产生 从耦合波方程出发定量地处理光学二次谐波的产生。 将分两类情况：一类是倍频过程中基频光消耗可以忽略的低转换倍频效率的情况（小信号近似）；另一类则是倍频效率较高，基频光的消耗不可忽略。 二、基频光高消耗的情况 §３.３ 相位匹配技术 Ｍａｋｅｒ等人第一个用实验证实了在相位失配情况下，倍频光强随相互作用长度周期性变化的行为. 在共线倍频的情况下，Δｋ＝０相当于２ｋ1＝ｋ2， 即 ２ｎ1ω／ｃ＝ｎ2·２ω／ｃ 简单地 ｎ1＝ｎ2 在可见光和近红外区域大多数非线性光学晶体都处在正常色散情况下，即ｎ2＞ｎ1 。，相位匹配条件是无法满足的。但是这是对同一偏振方向而言。所有的单轴晶体和双轴晶体都是光学各向异性的，即具有双折射特性：二个互相垂直偏振方向上晶体的折射率是不同的。这样我们就可利用双折射特性来补偿晶体的色散，以达到相位匹配的目的。 §３.４有效倍频系数和最佳相位匹配 为满足相位匹配条件，基频光的传播方向要偏离晶体的主轴方向，这时它的偏振方向也不能处在主轴方向上，在这种情况下起倍频作用的二阶非线性极化率并不简单地只是某个张量元，而是一些张量元的组合。有效倍频系数ｄeff 就是这种组合的结果。显然 ｄeff 的大小与极化率张量元的大小及光线传播方向（θ，?）有关。最佳相位匹配问题就是在相位匹配角θｍ满足的条件下，选择光线传播的方位角，使有效倍频系数达到最大。 一、　倍频系数矩阵 二、有效倍频系数ｄeff §３.５聚焦高斯光束的光倍频 一、　聚焦高斯光束的特点 二、聚焦高斯光束的倍频 基模激光束近场小信号倍频的情况 §３.６光倍频材料和器件 制作光倍频器的材料是具有非中心对称的介电晶体。衡量倍频晶体性能优劣的最重要指标，主要是透光波长范围；能否实现相位匹配和有效倍频系数的大小。按倍频晶体可承受的激光损伤阈值的大小，实用中又分成高功率激光用倍频晶体和低功率激光用倍频晶体。前者主要适用脉冲激光器的倍频，后者主要用于连续激光器的倍频 对于连续激光来讲一般光强比脉冲激光弱得多，因此腔外倍频效率很低。由于激光器腔内的光强比腔外输出光束的光强至少大一个量级，所以为了提高效率，连续激光的倍频几乎都采用腔内倍频技术. 新的激光振荡系统，利用自洽条件，振荡阈值方程为 §３.７光倍频效应在其他方面的应用 一、　光学二次谐波产生在表面和界面研究中的应用 对具有中心对称的介质，这些过程是被对称性禁戒的。但有两种情况可导致局部中心对称性的破坏，从而使光倍频（或和频）有效地发生。第一种情况发生在两种具有中心对称性介质的界面处。第二种情况是将被研究的分子吸附在具有中心对称性的介质表面上，对于中心对称的均匀介质，倍频产生是表面所特有的。 表面有效非线性极化率有两部分的贡献，电4极矩和磁偶极矩的体贡献χs(2) 二、光倍频用于超短脉冲信号处理和时间宽度测量 利用非共线相位匹配技术使得只有两束光叠加在一起时才能获得有效的倍频信号 图３.４１单轴晶体中的o光和ｅ光 式求出极化强度Ｐ的各个分量，则完成下列求和就给出沿Ｅ0和Ｅe 方向的有效极化强度 负单轴Ⅰ型 负单轴Ⅱ型 正单轴Ⅰ型 正单轴Ⅱ型 为了简化表达，定义一个有效倍频系数ｄeff 负单轴Ⅰ型 负单轴Ⅱ型 正单轴Ⅰ型 正单轴Ⅱ型 ＫＤＰ晶体是负单轴晶体，属４２ｍ晶体类，由附录Ⅳ它的倍频系数矩阵，有三个非零张量元，ｄ14、ｄ25和ｄ36，并且ｄ14＝ｄ25 ，其中只有两个是独立的。对Ⅰ型匹配 对Ⅱ型匹配 （ａ） 高斯束的光强截面 （ｂ）　播中束半径和波前半径的变化 （ｃ）束腰与共焦参量的关系 即在激光束的近场区域（３．５１）可近似表示成 这时，ｗ（ｚ）→ｗ0, →０,Ｒ（ｚ）→∞，即可认为是振幅按高斯型函数变化的平面波 图３.５.２高斯束经透镜聚焦改变了束腰的位置和尺寸 在聚焦高斯光束近场条件下的倍频性质与平面波条件下的倍频是 完全相同的，只不过用πｗ02代替了平面波光束的截面积Ａ。 Ｌ＜ｂ时通过聚焦单模基频激光增大 来提高倍频效率。但过分的聚焦会使Ｌ＞ｂ，由于在晶体内光束发散增大反而降低了倍频效率。最佳聚焦发生在共焦参数ｂ差不多等于晶体长度Ｌ的时候。 引入一个倍频效率因子ｈ0（ξ），ξ＝Ｌ／ｂ，来考虑聚焦对效率的影响。 考虑了倍频晶体双折射的离散效应 图３.５３当双折射参数Ｂ取各不同值时，效率因子ｈ（Ｂ,ξ）对ξ＝Ｌ／ｂ