后硒化法制备铜铟硒cis太阳能薄膜的表征资料.pdfVIP

PLD溅射后硒化法制备铜铟硒(娜)太阳能薄膜的表征 师 磊 (中国建材国际工程有限公司，蚌埠233018) 摘要： (Ⅺ匝)，对PLD溅射后硒化法制备出的铜铟硒(CIS)太阳能薄膜进行了表征；姑果表明此工艺方法可以制备出单相性 较好的黄铜矿结构的CIS薄膜。 关键词：cuIllSe2(cIs)；薄膜； 太阳能电池；PLD溅射；后硒化 CharacteristicsofCISSolar ThinFilms PLD Energy Preparedby andPost—selenization Sputtering SHILe／ International (ChinaTriumph EngineeringCo，Ltd，Bengbu233018，China) films Abstract：TheofCIS PLD and hadbeencharacterized property preparedby sputteringpost-selenization byX—ray Electron PhotoElectron Fluores- Diffraction(XRD)、ScanningMicroscope(SEM)、X-raySpec咖py(xPS)andX-ray show of cenge,spec-tlometel-(XRF)，theresultsthatCISthinfilmssingle and canbeobtained phasechalcopyrite$．tructtlreby thismethod． films；solar Keywords：CulnSe2(CIS)；thinenergybattery；PLDsputtering；post．selenization 目前，薄膜太阳能电池的研究工作主要集中在 铜铟合金靶材，靶材中Cu占35．24％，In占 64．76％。调节距离控制旋钮20，使基底和靶之间 非晶硅薄膜电池、CdTe系薄膜电池、CIS(CulnSe．：) 系薄膜电池和多晶硅薄膜电池上。其中，CIS系薄 的距离为2clrl。当达到一定真空度后，由激光发生 膜电池由于转换效率最高成为了研究热点。这种电 器2产生激光，通过凸透镜1聚焦后，再由激光入射 池就是以CIS为吸收层的高效薄膜太阳能电池， 口3进人工作室打到铜铟合金靶材18上。先用挡 板17挡住表面氧化层，经过一定时间后，用挡板控 CulnSe恐属于I一Ⅲ一Ⅳ族化合物，它是由Ⅱ一Ⅳ 族化合物衍化而来，其中第二元素被第1族(Cu)和制旋钮4将挡板移开，溅射45min，那么铜铟合金 第Ⅲ族(In)取代而形成三元化合物，具有黄铜矿相就会沉积在钼玻璃上。马达5、21可以分别带动衬 结构。CIS薄膜太阳能电池材料的吸收系数高、带 底和靶旋转，避免激光照在铜铟合金靶材的同一位 隙可控、结晶品质高、弱光性能好、抗辐射能力强、电 置，并且使成膜均匀。 池性能稳定、制造成本低、光电转换效率高，是各种 1．2固态源后硒化处理Culn层薄膜工艺 薄膜太阳能电池的首选。 1．2．1硒化制备CIS薄膜材料的生长机理