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魏廷存/2010年 第2章 CMOS元器件及其模型 2.1 CMOS (NMOS/PMOS) CMOS的基本结构（NMOS） CMOS的基本结构（PMOS） CMOS的特点 Gate~Source间无直流电流通路，功耗低，输入电阻高，这是CMOS与Bipolar的主要区别； NMOS衬底接电路中最低电位，通常PMOS衬底接电路中最高电位，保证所有源/漏极的pn结反偏，防止产生衬底漏电流； Drain与Source在物理构造上无区别，完全对称。但为了电路设计上的方便，通常把提供载流子的一端称为源极(Source)，而把收集载流子的一端称为漏极(Drain)。NMOS中连接低电压的端子为源极（载流子为电子），PMOS中连接高电压的端子为源极（载流子为空穴）。 CMOS的基本结构（续） 肖特基二极管的形成原理 CMOS的详细构造 沟道阻断注入 CMOS的详细构造（续） CMOS工艺发展方向（摩尔定律）：按比例逐渐减小Lmin与tox(tox≈Lmin/50)，其带来的好处是（数字电路）： 减小了芯片面积 随着tox减小，Vth 将减小，可提高电路动作速度 由于耐压降低，电源电压降低，导致动态功耗减小 在模拟电路中，当工艺确定后，可调整W/L获得所要求特性。