第四章光电检测器件.ppt

光电三极管与光电二极管相比，具有较高的输出光电流，但线性差 线性差主要是由电流放大倍数?的非线性所致 在大照度时，光敏三极管不能作线性转换元件，但可以作开关元件使用。管不能作线性转换元件，但可以作开关元件使用。 光电三极管的光照特性 光敏三极管的伏安特性 硅光电三极管的光电流在毫安量级，硅光电二极管的光电流 在微安量级。 在零偏压时硅光电三极管没有光电流输出，但硅光电二极管 有光电流输出。 工作电压较低时输出电流有非线性，硅光电三极管的非线 性更严重。（因为放大倍数与工作电压有关） 在一定的偏压下，硅光电三极管的伏安曲线在低照度时间隔 较均匀，在高照度时曲线越来越密 硅光电三极管 硅光电二极管 光敏三极管的温度特性 温度特性反映了光敏三极管的暗电流及光电流与温度的关系。 温度变化对光电流和暗电流都有影响，对暗电流的影响更大。 精密测量时，应采取温度补偿措施，否则将会导致输出误差。 光电三极管的光电流和暗电流受温度影响比光电二极管大得多 光敏三极管的（调制）频率特性 光敏三极管的频率特性受负载电阻的影响，减小负载电阻可以提高频率响应。 一般来说，光敏三极管的频率响应比光敏二极管差。 对于锗管，入射光的调制频率要求在5000Hz以下，硅管的频率响应要比锗管好。 4.4 光电转换电路 由光源、光学通路和光电器件组成的光电传感器在用于光电检测时，还必须配备适当的测量电路。测量电路能够把光电效应造成的光电元件电性能的变化转换成所需要的电压或电流。不同的光电元件，所要求的测量电路也不相同。下面介绍几种半导体光电元件常用的测量电路。 半导体光敏电阻可以通过较大的电流，所以在一般情况下，无需配备放大器。在要求较大的输出功率时，可用图4.3.3所示的电路。 图4.3.4a给出带有温度补偿的光敏二极管桥式测量电路。当入射光强度缓慢变化时，光敏二极管的反向电阻也是缓慢变化的，温度的变化将造成电桥输出电压的漂移，必须进行补偿。图中一个光敏二极管作为检测元件，另一个装在暗盒里，置于相邻桥臂中，温度的变化对两只光敏二极管的影响相同，因此，可消除桥路输出随温度的漂移。 光敏三极管在低照度入射光下工作时，或者希望得到较大的输出功率时，也可以配以放大电路，如图4.3.4b所示。 。 图4.3.3 光敏电阻测量电路 图4.3.4 光敏晶体管测量电路 图4.3.5 光电池测量电路 由于光电池即使在强光照射下，最大输出电压也仅0.6V，还不能使下一级晶体管有较大的电流输出，故必须加正向偏压，如图4.3.5a所示。为了减小晶体管基极电路阻抗变化，尽量降低光电池在无光照时承受的反向偏压，可在光电池两端并联一个电阻。也可以使用硅光电池组串联，使其电压大于0.7伏,如图4.3.5b所示 图4.3.6 使用运放的光敏元件放大电路 半导体光电元件的光电转换电路也可以使用集成运算放大器。硅光敏二极管通过集成运放可得到较大输出幅度，如图4.3.6a所示。当光照产生的光电流为IФ时，输出电压U0=IФRF，为了保证光敏二极管处于反向偏置，在它的正极要加一个负电压。图4.3.6b给出硅光电池的光电转换电路，由于光电池的短路电流和光照成线性关系，因此将它接在运放的正、反相输入端之间，利用这两端电位差接近于零的特点，可以得到较好的效果。在图中所示条件下，输出电压U0=2IФRF。 下面是光电二极管与IC放大电路的三种典型连接方法。 1.电流放大型 图7-27(a)是电流放大型IC检测电路。光电二极管和运算放大器的两个输入端同极性相连，运算放大器两输入端间的输入阻抗Zin是光电二极管的负载电阻，可表示为 Zin=Rf/（A+1) 式中，A是放大器的开环放大倍数；Rf是反馈电阻。当A=104。Rf=100kΩ时，Zin=10Ω。可以认为光电二极管是处于短路工作状态，能取出近于理想的短路电流。处于电流放大状态的运算放大器，其输出电压U0与输入短路光电流成比例，并有 U0=IscRf=RfSΦ 即输出信号与输入光通量成正比。此外，电流放大器因输入阻抗低而响应速度较高并且放大器噪声较低，所以信噪比提高。这些优点使其广泛应用于弱光信号的检测中。