第二章电力牵引控制系统常用电力电子器件.pptVIP

半控型器件（Thyristor） ——通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。 全控型器件（IGBT,MOSFET) ——通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断，又称自关断器件。 不可控器件(Power Diode) ——不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需要驱动电路。 电流驱动型 ——通过从器件的控制端注入或者抽出电流来实现导通或者 关断的控制。 电压驱动型 ——仅通过在器件的控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。 1、 晶闸管的结构与工作原理 1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。 1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。 1958年商业化。 开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代。 20世纪80年代以来，开始被全控型器件取代。 能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位。 外形有螺栓型和平板型两种封装。 有三个连接端。 螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便。平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。 常用晶闸管的结构 晶闸管的结构可以看成是三端四层半导体开关器件，共有3个PN结，J1、J2和J3，如图所示。 若把晶闸管看成由两个三极管T1（P1N1P2）和T2（N1P2N2）构成，则其等值电路可表示成两个三极管。对三极管来T1说，P1N1为发射结J1，N1P2为集电结J2；对于三极管T2，P2N2为发射结J3，N1P2仍为集电结J2；因此J2（N1P2）为公共的集电结。 当A、K两端加正电压时（A接正，K接负），J1、J3结为正偏置，中间结为反偏置。晶闸管未导通时，加正压时的外加电压由反偏置的J2结承担，而加反压时的外加电压则由J1、J3结承担。 式中?1和?2分别是晶体管V1和V2的共基极电流增益；ICBO1和ICBO2分别是V1和V2的共基极漏电流。由以上式可得 ： 阻断状态：IG=0，?1+?2很小。流过晶闸管的电流稍大于两个晶体管漏电流之和。 开通状态：注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致?1+?2趋近于1，流过晶闸管的电流IA，IA≈IK；则由外电路电源电压US和负载电阻R限定， 即IA≈IK ≈EA/R。实现饱和导通晶闸管的等效电阻变得很小，其通态压降仅为1~2 V 。 一旦晶闸管从断态转为通态后，因IA 、 IK已经很大，即使撤除门极电流IG ，由于α1+α2≈1，由式可知IA≈IK仍然会很大，晶闸管仍继续处于通态，并保持由外部电路所决定的阳极电流IA≈IK =EA/R。 2 晶闸管的基本特性 承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。 承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。 要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 。 （晶闸管阳极与阴极间的电压和阳极电流的关系，称为晶闸管的伏安特性。晶闸管的伏安特性位于第一象限的是正向伏安特性，位于第三象限的是反向伏安特性 （1）正向特性 IG=0时，器件两端施加正向电压，只有很小的正向漏电流，为正向阻断状态。 正向电压超过正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。 晶闸管本身的压降很小，在2V左右。 反向特性类似二极管的反向特性。 反向阻断状态时，只有极小的反相漏电流流过。 当反向电压达到反向击穿电压后，可能导致晶闸管发热损坏。 晶闸管的型号 Ｐ----普通, Ｋ—快速型，Ｓ—双向型，Ｎ—逆导型，Ｇ—可关断，LTT —光控 KP[电流]─[电压/100][ 通态压降组别 ] KP500-12G 0.9V=UT(AV)=1.0V;额定电压为1200V;额定电流为500A 3、晶闸管的参数 （1）额定电压UR。在门极开路（IG=0），器件额定结温度时，正向和反向折转电压的80 %值称为断态正向重复峰值电压UDRM和断态反向重复峰值电压URRM。UDRM和URRM这两个电压中较小的一个电压值规定为该晶闸管的额定电压UR。 由于在电路中可能偶然出现较大的瞬时过电压而损坏晶闸管，在实际电力电子变换和控制电路设计和应用中，通常按照电路中晶闸管正常工作峰值电压的2~3倍的电压值选定为晶闸管的额定电压，以确保足够的安全裕量。 （2）晶闸管的额定电流IR。在环境温度为40℃和规定的散热冷却条件下，晶闸管在电阻性负载的单相、工频正弦半波导电，结温稳定在额定值125℃时，所对应的通态平均电流值定义为晶闸管的额定电流IR 。晶闸管的额定电流也是基于功耗发热而导致结温不超过允许值而限定的。 如果正弦电流的