第六章.光电导探测器.pptVIP

此时： 此时探测器输出的电功率最大，光探测系统总的光 电变换效率最高。 小结： ①半导体对光的吸收具有非线性 光电探测器的光电流与入射光功率将呈现非线性关系。 ②当光线较弱时，可认为是线性关系。 当光线(入射光)功率较大时，将出现非线性特性。 §4-2光电导探测器的性能参数 一、光电导增益 载流子的平均寿命 载流子的渡越时间 含义：长度为L的光电导体两端加上电压后，由光照产生的 光生载流子在电场的作用下所形成的外部光电流与光电子形 成的内部光电流(qN)之间的比值。 经4-2-1～6的计算可得： 由于材料电导率的变化，引起的光电流为： 光电导增益： 分别为电子增益系数和空穴增益系数: 代入 公式: 将空穴和自由电子的效果综合考虑，则： 讨论： ①灵敏的光电导探测器，必然有很大的增益系数 ② 光电导器件的量子效率： 和材料的反射率、吸收率、和厚度有关。 二、光电探测器的噪声： 主要有三种：热噪声、产生复合噪声、1/f 噪声。 产生复合噪声由：热噪声、信号光和背景光激发产生的。低温时，只有后两种。 三、响应率 四、比探测率 五、温度特性 六、频率响应及响应时间 七、前历效应 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 特点： ①光敏电阻 ②有源器件：偏压 偏流（此两个参数会影响光电导的工作参数） 分类：本征型、杂质型、薄膜型、扫积型 §4-1光电导探测器的工作原理 一、光电导效应： 1.定义：光作用于光电导材料，形成本征吸收或杂质吸收， 产生附加的光生载流子，从而使半导体的电导率发生变化。 具体分析： Ⅰ. 对于本征半导体：见图4-1 没有光照： 主要是价电子→在价带中 少量热激发电子→导带 Eg→不导电， 有光照：电子+ →突破Eg →价带 → 长波阈： 入射波长超过长波阈，会产生 热电效应。 短波阈： Eg ＋价带宽＋导带宽= 入射波长比短波阈短时，电子逸出 Ⅱ.对于杂质半导体： n型：施主能带接近导带 只需少量能量即可产生光电子 p型：受主能带接近价带 2.表征光电导效应的主要参数 ⑴光电导体的灵敏度：在一定的光强下光电导的强弱，用G 表示： 量子产量 光生载流子寿命 载流子在光电导两极间的渡越时间 光电导体两极间距 迁移率 外加电压（电源电压） ∴ 设计时有重要意义 如果在杂质半导体中有空穴和电子，则： ⑵光电导的弛豫： 由于是非平衡载流子效应，具有弛豫效应。 定义：弛豫时间：光照开始和光照停止时，光电导上升或下 降的时间。 响应时间：反映了光电导对周期性变化信号的反映能力。 分类： 直线性光电导：光电导(光生载流子的密度）与光强成线性关系。 Si，Ge，PbO等材料至少在较低的光强下成立。 抛物线性光电导：光电导(光生载流子的密度）与光强的平方根成正比 一般的，在较低光强下，光电导为直线型光电导； 在较高光强下，为抛物线型光电导。 具体地：A：对直线型光电导： 光生载流子密度与In成正比： 光电导体对光的吸收系数。 将上式对时间微分，并计算得： 见图4-2 当 时，光电流上升到饱和值的 或下降到饱和值的 ，上升和下降时对称的， 为直线 性光电导的弛豫时间，和光强无关。 B：抛物线型光电导： （其中b为比例系数） 上升段，对光电导进行微分： 光照取消后：决定光电导下降的微分方程： 上升、下降曲线如图4-3所示： 下降段为双曲线性衰减 非线性光电导的弛豫时间很复 杂，上升下降不对称。 近似为： 对于光照开始的上升段： 时，光电导增加到定值的0.76 对于光照停止的下降段： 时，光电导减小到定值的一半 和光照强弱有关 讨论：光生载流子的定态值是 的乘积 产生率 弛豫时间： 此矛盾要折衷选取。 3.光电导的光谱分布： A 本征：光电导大小和波长密切 相关，见图4-4 是本征半导体光谱分布。 它们是等量子曲线或叫等能量曲线。 等量子：指对不同的波长，以光量子计算的光强是相等 的，是在相同的光子流之下测量的结果。 等能量：指不同的波长下，所用的光能量流是相等的，短 波 小，相同能量下，光子数少。 曲线的共同特点：①长波限处曲线直线下降 原因？ 能量Eg 确定长波限的方法： Moss认为：光电导下降到一半的波长为长波限。 ②短波方向： 原理上： 实际上：短逐渐下降，光生载流子集中于表面。由于