半导体器件物理Chapter4.pdf

第四章 金属—半导体结 半导体器件 电子与信息学院 引言 • 金属-半导体接触可以分成两类，一类是整流接 触，一类是欧姆接触。 • 半导体器件中金属的应用 使载流子（电子和空穴）在进 出半导体时少受阻力 整流 器件间的低阻互联 半导体器件 电子与信息学院 引言 把须状的金属触针压在半导体晶体上或者在高真空下 向半导体表面上蒸镀大面积的金属薄膜都可以实现金 属—半导体结，前者称为点接触，后者则相对地叫做 面接触。 半导体器件 电子与信息学院 引言 金属—半导体结器件是应用于电子学的最古老的固态器件。 • 1874年布朗（Brawn）提出金属与硫化铅晶体接触间具有不对称 的导电特性。 • 1906年皮卡德（Pickard）获得了硅点接触整流器专利。 • 1907年皮尔斯（Pierce）提出，在各种半导体上溅射金属可以 制成整流二极管。 • 二十年代出现了钨－硫化铅点接触整流器和氧化亚铜整流器。 • 1931年肖特基 (Schottky)等人提出M-S接触处可能存在某种 “势垒”的想法。 • 1932年威尔逊（Wilson）等用量子理论的隧道效应和势垒的概 念解释了M-S接触的整流效应。 半导体器件 电子与信息学院 引言 • 1938年肖特基和莫特（Mott）各自独立提出电子以漂移和扩散 的方式越过势垒的观点。 • 同年，塔姆（Tamm）提出表面态的概念。 • 1947年巴丁（Bardein）提出巴丁势垒模型。 • 由于点接触二极管的重复性很差，50年代，在大多数情况下它 们已由PN结二极管所代替。 • 到70年代，采用新的半导体平面工艺和真空工艺来制造具有重 复性的金属—半导体接触，使金属—半导体结器件获得迅速的 发展和应用。 半导体器件 电子与信息学院 4.1肖特基势垒 半导体器件 电子与信息学院 4.1肖特基势垒 一、肖特基势垒的形成（考虑金属与N-半导体） qφS －半导体功函数 qφm －金属的功函数 qφS qφm χS －半导体的电子亲和势。 假设半导体表面没有表面态，接触是理想的，半导体能带直到表面都是平直的 自建电势差ψ ψ φ −φ （4-1） 0 m0 s 肖特基势垒高度 q q xφ φ − b m s （4-2） 或 φ ψ +V b 0 n （4-3）