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外部存储器接口;6.1 接口信号与控制寄存器; 6.1 EMIF接口信号 ;EMIF接口地址 ;EMIF接口宽度与字节定位 ;EMIF控制寄存器 ;GBLCTL寄存器;CExCTL寄存器 ;SDCTL寄存器;SDTIM寄存器 ;SDEXT寄存器 ;SRAM是Static Random Access Memory的缩写，中文含义为静态随机访问存储器，它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与DRAM不同，DRAM需要进行周期性的刷新操作。 同时，我们不应将SRAM与只读存储器(ROM)和Flash Memory相混淆，因为SRAM是一种易失性存储器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以任意顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。? DRAM是Dynamic RAM的缩写，中文含义为动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。而且是行列地址复用的，许多都有页模式。SDRAM：Synchronous DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。 一个是静态的，一个是动态的，静态的是用的双稳态触发器来保存信息，而动态的是用电子，要不时的刷新来保持。 DRAM容量大，SRAM容量小 ;SDRAM的结构;接口信号与SDRAM配置;SDRAM的控制;ACTV命令 ;READ 读命令 ;WRT 写命令 ;EMIF与SDRAM的接口时序由SDCTL、SDTIM和SDEXT寄存器控制，如何设置上述时间参数，需要用户去查看具体SDRAM芯片的器件手册 ;接口时序的设计 ;外部存储器读写示例;6.3 异步接口设计;EMIF 异步读时序;EMIF 异步写时序;EMIF 异步读时序;参数;FLASH 的读时序;FLASH 的读时序;FLASH 的写时序 ;FLASH 的写时序 ;FLASH 的写时序 ;泰克混合示波器 MSO4104 Tektronix;CE1 写时序 EMIF=50MHz CE1CTL = 0;CE1 写时序 EMIF=50MHz CE1CTL = 0;命令顺序;FLASH 读写流程;FLASH 操作等待流程;Flash 接口配置举例;FLASH 读写程序流程 ;外部存储器读写示例