采用2602型源表进行高吞吐量激光二极管模组和VCSEL直流生产测试.pdfVIP

Number 2626 Application Note 采用2602型源表进行高吞吐量激光二极管模组 Series 和VCSEL直流生产测试 引文 实现晶圆级测试，这一特点同时为VCSEL的测试提供了机遇和挑 战，在下面部分将对其进行探讨。 激光二极管（Laser diode，LD）和垂直腔面发射激光器 （Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL）在光通 信、光谱学和其他许多重要应用中是两种主要的元器件。随着对 上述应用的需求的增长，对这两类基本元件的需求也随之增长， 这就要求人们更加注重于开发精确且成本经济性好的生产测试 策略。 典型的激光二极管模组由一个激光二极管和背光探测二极 管组成。带温控的激光二极管模组还可以包括一个半导体制冷 器（thermoelectric controller，TEC）和一个热敏电阻以便对 激光二极管工作温度进行精确调节，如图1所示。（另外，在高速 激光二极管模组中还包括一个集成的调制器芯片，未在图1中示 出）。 图2. 简化的垂直腔面发射激光器结构（来源：Kartalopoulos） 需要记住的是，无论这两种器件中的哪一种，都需要多步工序 完成制造。制造中的每一个工艺步骤本质上关乎器件价值的增 长，这决定了人们要在执行下一步组装工艺之前进行元器件测 试。例如，由于背光探测二极管失效导致整个激光二极管模组报 废的成本，要远高于在组装前对光电二极管进行完全测试的成 本。快速灵活的测试方案对于减小测试的成本至关重要。 在本文中，详细介绍了几种可以满足现今生产环境中高通量 要求的、高成本效益的直流测试系统。 测试说明 在直流测试中，激光二极管或VCSEL模组的关键技术参数如 下: • 激光二极管正向压降 • 拐点测试/线性度测试(dL/dI) • 阈值电流 • 背光探测二极管反向偏置电压 • 背光探测二极管电流 • 背光探测二极管暗电流 • 光输出功率 图1. 典型激光二极管模组 通过LIV测试扫描，可以完成多数最常见的直流特性测量。这 种快速且廉价的直流测试可在测试过程的早期提早确定失效的 相比于标准的激光二极管，垂直腔面发射激光器VCSEL具有更 组件，随后昂贵的非直流域测试系统可以更经济地对剩下的高产 为复杂的半导体结构，但其封装结构一般更为简单。典型