半导体制造工艺.pptxVIP

硅片中的掺杂区;扩 散;扩散的概念;硅中的杂质扩散;固态扩散的目的;扩 散 工 艺;离子注入的优点 ;离子注入在工艺集成中的发展趋势;3.3 晶体缺陷及对器件质量的影响 缺陷主要有： 点缺陷 位错(原生的和诱生的) 点缺陷 主要来源于晶体内杂质原子的挤压晶体结构引起的应力所产生的缺陷， 还有就是空位(晶格点阵缺少原子所制)。如图所示 位错 位错是单晶内部一组晶胞排错位置所制(如图所示).. 原生位错是晶体中固有的位错，而诱生位错是指在芯片加工过程中引入的位错，其数量远远大于原生位错。产生的原因大致可分为三个方面;干法刻蚀与湿法刻蚀相比的优点： 刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的恻壁剖面控制； 好的CD控制； 最小的光刻胶脱落或黏附问题； 好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性； 较低的化学制品使用和处理费用。;粒子束刻蚀 粒子束刻蚀也是干法刻蚀的一种，与化学等离子体刻蚀不同的是粒子束刻蚀是一个物理工艺。如图所示，晶圆在真空反应室内被置于固定器上，并且向反应室导入氩气流。氩气进入反应室便受到从一对阴阳极来的高能电子束流的影响。电子将氩原子离子化成带正电荷的高能状态。由于晶圆位于接负极的固定器上，从而氩离子便被吸向固定器。在移动的同时被加速以提高能量。在晶圆表面上它们轰击进入暴露的晶圆层并从晶圆表面炸掉一小部分从而达到刻蚀的目的。 ; 优点：刻蚀的方向 性非常好（属于各 向异性），非常适 合高精度的小开口 区域刻蚀 缺点：选择性差， 存在离子化形成的 辐射损害。 粒子束轰击示意图;刻蚀 在完成显影检验后，掩膜版的图形就被固定在光刻胶膜上并准备刻蚀。经过刻蚀图形就永久留在晶圆的表层。 刻蚀工艺分为两大类：湿法和干法刻蚀。 无论那一种方法，其目的都是将光刻掩膜版上的图形精确地转移到晶圆表面。同时要求一致性、边缘轮廓控制、选择性、洁净度都符合要求。;刻蚀技术;刻蚀参数;§ 6-1 湿法化学刻蚀 一、湿法刻蚀 ;等离子体辅助CVD;2. 干法刻蚀;自对准硅化物;与自对准硅化物有关的芯片性能问题;???对准金属硅化物的形成;22;23;24;25;26;27;28;29;30;31;32;33;34;35;36;37;38;39;40