微电子元器件第六章 场效应晶体管研究报告.pptVIP

第六章场效应晶体管;6.1场效应晶体管的工作原理; 由实验测得电压和电流的对应关系，可得器件的I-V特性曲线。该电路的电压回路方程可写为：; 器件的工作状态受到了VG的控制。比如，在该例中，VG=0.5V时，器件两端的直流电压和通过负载的直流电流分别是VD=5V和ID=10mA。不管VG是多大，通过负载的电流和器件两端的电压总是在负载线上变化。;6.2 结型场效应晶体管（ JFET ）;; ; 6.2.1夹断和饱和-工作原理;6.2.2 栅的控制作用;;;6.2.3 JFET的I-V特性 ; 6.2.3 JFET的I-V特性;6.2.3 JFET的I-V特性;JFET的I-V特性;;N沟道结型场效应管的栅压---漏流特性曲线，称为转移特性曲线， ;6.2.3 JFET的I-V特性;6.2.3 JFET的I-V特性;6.2.3 JFET的I-V特性;6.2.3理想JFET的I-V特性;一、线性区 令 ,（5-4）式中的第二项： 把（5-7）式代入（5-4）式并简化，得到 （5-8） 上式表明，