二维半导体界面特性及其异质结器件研究-钱学森试验室.pdf

二维半导体界面特性及其异质结器件研究 刘军库，郭 楠，肖 林，贾 怡 （1.钱学森空间技术实验室 空间技术与应用础研究部，北京100094） 1 研究背景 半导体能带工程是实现先进电子和光电子器件研究的基础，如通过可控掺杂 实现电子型和空穴型导电性的调节，进而构筑PN 结、MOS 晶体管等基本元器件； 通过改变材料几何尺寸(使其某一维度达到量子效应凸显的德布罗意波长尺寸)实 现半导体能带的调控，进而构建以量子阱光电探测器为代表的新型器件。 基于块体材料的半导体能带工程已经取得了很大的进步，而实现原子层级别 的材料设计和器件可控制备一直是半导体能带工程研究的目标。近年来，以石墨 烯及二维金属硫化物为代表的二维材料的发现极大地激发了这一领域的发展。二 维材料具有单原子层厚度，而且表面没有悬挂键，通过将这些二维材料异质集成， 可以实现原子层厚度的PN 结，MOS 晶体管、隧穿结及超晶格等电子及光电子器 件。相对于块体材料，基于二维材料的异质集成可以克服块体材料的晶格不匹配 问题，而且异质结器件界面清晰，性能容易调节，材料可选择范围大，加之二维 材料对电磁相互作用敏感。因此，基于二维材料及其异质结的电子和光电器件有 很大的发展前景。但同时二维材料具有比