TiO光催化氧化技术应用.pptVIP

* 温度对光催化反应速率的影响具有双重性，一方面，提高温度有利于半导体表面的氧化还原反应的进行，但另一方面，温度升高后不利于底物和氧在催化剂表面的吸附，而且溶解氧的的浓度也会随温度的升高而降低。温度对光催化剂反应速率的影响可分两种情况： * 这些因素制约着TiO2光催化技术的工业化应用，为了解决这两个问题，我们可以采对TiO2进行改性，以提高TiO2的光催化活性，研究表明，通过对半导体材料沉积贵金属或其他金属氧化物、硫化物，掺杂无机离子，光敏化以及表面还原处理等方法引入杂质和缺陷，有助于改善TiO2的光吸收，提高稳态光降解量子效率及光催化效能。 * 贵金属(如Pt, Pd, Au, Ru等)对半导体催化剂的修饰是通过改变电子分布来实现的。在TiO2表面沉积适量的贵金属后，由于金属的费米能级小于TiO2的费米能级，即金属内部和TiO2相应的能级上，电子密度小于TiO2导带的电子密度。因此，载流子重新分布，电子从TiO2向金属扩散，直到它们的费米能级相同。电子在金属上的富集，相应减小了TiO2表面电子密度，从而抑制了电子和空穴的复合，提高TiO2的光催化活性。 常用的金属有Pt, Pd, Au, Ru等，最常用的是Pt。Pt的改性效果最好，但成本较高；Ag改性的相对毒性较小，成本较低。因此，Ag沉积改性制备高活性催化剂是未来提高TiO2活性的重要方向之一 * 在半导体表面沉积金属应控制在一定范围 当金属沉积量低时，随金属亮的增加，金属呈正效应。而当金属沉积量超过最佳范围时，随进数量的增加，金属呈负效应。 过多的带有电子的金属微粒在半导体微粒上存在时容易使光生电子与空穴再复合。 * TiO2与半导体复合时，由于不同的半导体的禁带宽度不同，将不同的半导体进行复合造成能级交错，可以提高系统的电荷分离效果，有效地扩展其光谱响应范扩大其对太阳光中可见光部分的吸收。 复合的主要方法有简单的组合、包裹、偶合、掺杂等 与其他改性方法相比，复合半导体具有很多优点：通过改变粒子大小，可以很容易地调节半导体的带隙和光谱吸收范围;半导体微粒的光吸收范围为带边型，有利于太阳光的有效采集；通过粒子的表面改性可增加其光稳定性。 * 离子掺杂是利用物理或化学方法，将离子引入到TiO2晶格内部，从而在其晶格中引入新电荷、形成缺陷或改变晶格类型，影响光生电子和空穴的运动情况、调整其分布状态或改变TiO2的能带结构，最终导致TiO2的光催化活性发生改变。 离子掺杂修饰包括过渡金属离子、稀土元素离子和无机官能团离子以及其他离子。其中以过渡金属离子掺杂为主。 * 2001年Asahi等日本学者报道了氮掺杂TiO2，引起了人们对阴离子掺杂光催化剂及其可见光响应性能的广泛兴趣 半导体TiO2 中掺杂非金属可以影响光催化活性, 通过完全是势线性缀加平面波模型分别计算了C、N、F、P、S 取代锐钛矿二氧化钛中晶格氧时的态密度后认为, 和O2P 轨道相比, 非金属元素具有能量相对较高的P 轨道, 用非金属元素取代O提高光催化剂的价带电位, 从而降低半导体光催化剂的导带位置,能使其禁带宽度变窄 。 适当的过渡金属离子掺杂可以在半导体晶体中引入晶格缺陷或改变结晶度，使之形成更多的光催化活性位，并且由于金属离子是电子受体，其对电子的争夺减少了TiO2表面光生电子e-和光生空穴h+的复合，从而使TiO2表面产生更多的·OH，提高催化剂的活性。过渡金属离子的掺杂会在半导体晶格中引入能捕获光致电子和空穴的缺陷；改变结晶度，使激发光的波长红移。 * 延长TiO2的激发波长范围，提高长波辐射光子利用效率，是提高TiO2光量子效率的主要途径 光敏化主要利用TiO2对光活性物质的强吸附作用，通过添加适当的光敏化剂，使其以物理或化学状态吸附于TiO2表面。这些物质在可见光照射下，吸附态光活性分子吸收光子被激发，产生自由电子，然后激发态光活性分子将电子注入到TiO2的导带上，扩大TiO2激发波长的范围，使之利用可见光来降解有机物 * TiO2表面具有钛羟基结构，他是捕获光生电子和空穴的浅势阱。与钛羟基相比，Ti3+是一种更有效的光生电子界面转移部位。还原性气体对TiO2进行热处理可以在其表面产生更多的Ti3+。在TiO2表面形成合适的钛羟基和Ti3+的比例结构，促进电子和空穴的有效分离和界面电荷转移，从而提高光催化活性。 * 超强酸化 增强催化剂表面酸性是提高光催化效率的一条新途径。 一方面，通过二氧化钛的SO42-表面修饰（超强酸化），是催化剂结构明显改善，有效地抑制了晶相转变，使得具有高光催化本证活性的锐钛矿含量增加、晶粒度变小、比表面积增大、表面氧