第二章发光相关背景与基础知识解析.pptVIP

发射发光材料;课程内容;上章回顾;第二章 发光相关背景与基础知识; ;2.1.1 晶体;Bi4Ge3O12 (BGO) 单晶医学成像用闪烁体用于探测X射线;2.1.2 晶体结构; ;Triclinic: simple (P) Monoclinic: simple (P). base-centered (C) Orthorhombic: simple (P). body-centered (I).  base-centered (C). face-centered (F) Tetragonal: simple (P). body-centered (I) Cubic: simple (P). body-centered (I). face-centered (F) Hexagonal: simple (P). Rhombohedral: simple (P).;5) 晶体周期性的数学表示, 基矢和格矢 ;（2）晶向和晶向指数;（3）晶面和晶面指数 ;;缺陷：理想的晶体具有严格的周期性结构，而实际晶体总是不完整的，这种不完整性就叫做缺陷。缺陷的存在会影响晶体对杂质的溶解度、杂志的扩散速度和杂质的分布。因此，缺陷和材料的发光性能有密切的关系。;;1. 点缺陷及其对发光性能的影响;1. 点缺陷及其对发光性能的影响;弗兰克尔缺陷;;外来原子进入主晶格（即原有晶体点阵）而产生的结构为杂质缺陷。 原子进入晶体的数量一般小于0.1% 晶体的杂质缺陷浓度仅取决于加入到晶体中的杂质含量，而与温度无关，这是杂质缺陷形成（非本征缺陷）与热缺陷形成（本征缺陷）的重要区别。 点缺陷杂质原子无论进入晶格间隙的位置或取代主晶格原子，都必须在晶格中随机分布，不形成特定的结构。杂质原子在主晶格中的分布可以比喻成溶质在溶剂中的分散，称之为固溶体。 ;原子或离子晶体化合物中，可以不遵守化合物的整数比或化学计量关系的准则，即同一种物质的组成可以在一定范围内变动。相应的结构称为非化学计量结构缺陷，也称为非化学计量化合物。 非化学计量结构缺陷中存在的多价态元素保持了化合物的电价平衡，如过渡金属氧化物Fe1-xO，Cu2-xO 。 化合物的组成与周围环境气氛和分压有关：TiO2-x 。 严格来说，世界上所有化合物都是非化学计量，只是程度不同。;4) 点缺陷的表示法 ;5） 点缺陷对发光性能的影响：;2. 线缺陷及其对发光性能的影响;位错的存在对发光材料性能的影响： ① 位错的存在，将会在晶体中出现一些特殊的能量状态，在位错线附近形成一个高能区域。 ② 在位错周围晶格发生畸变，也会使材料的禁带宽度发生变化。 ③ 位错往往是杂质可以先沉积的地方，这样就会造成杂质在晶体中分布不均匀。 ④ 具体的影响情况要根据具体的情况来分析。比如不同的激发方式、发光材料的粒度、结晶程度等等都会使各种缺陷有着不同的影响规律。 ;2.2 能带理论;（一）能带理论的主要内容;;图示为8个原子相互靠近时能级分裂的情况，每个能级分裂为8个相距很近的能级。因此，几个原子相靠近时，原子在某一能级上的电子就分别处在分裂的几个能级上，电子也不属于某个原子，而是几个原子共有。;在金属锂的晶体中，若有N个锂原子则可形成N个分子轨道。由于N的数目十分庞大，各分子轨道的能级之间相差极小几乎连成一片，形成了具有一定上限和下限的能带。N个1S分子轨道组成1S能带，N个2S分子轨道组成2S能带。因为原来1S轨道上已充满电子，形成的能带是充满的，称为满带。2S轨道上只有一个电子，是半充满的，这种能带称为导带。在导带和满带之间间隔一个能量区域，这个区域不可能有电子存在，叫禁带。;导体、半导体和绝缘体;本征半导体与杂质半导体;施主杂质与N型半导体;施主能级和施主电离;受主杂质与P型半导体;受主能级和受主电离;(二)定域能级;