光电技术_01光电技术基础.pptVIP

热平衡状态载流子的产生率应与复合率相等。 非平衡状态下，载流子的时间变化率应等于载流子的总产生率与总复合率的差。即 两种情况： （1）微弱辐射作用 Δnni，Δppi，并本征吸收时，Δn=Δp，有 利用初始条件t = 0时，Δn = 0，解微分方程得 式中τ=1/Kf(ni+pi)称为载流子的平均寿命。 通解 光激发载流子浓度随时间按指数规律上升，当tτ时，载流子浓度Δn达到稳态值Δn0，即达到动态平衡状态 光激发载流子引起半导体电导率的变化Δσ为 μ=电子迁移率μn+空穴迁移率μp 欧姆定律的微分形式： 按定义： 另外： 由此可得半导体材料在弱辐射作用下的光电导灵敏度Sg l的平方成反比。 半导体材料的光电导g为 在弱辐射作用下的半导体材料的光电导灵敏度为与 材料性质有关的常数，与光电导材料两电极间的长度 （2）在强辐射的作用下，Δnni，Δppi 利用初始条件t = 0时，Δn = 0，解微分方程得 为强辐射作用下载流子的平均寿命。 强辐射情况下，半导体材料的光电导与入射辐射通量间的关系为 进行微分得 强辐射作用的情况下半导体材料的光电导灵敏度不仅与材料的性质有关，而且与入射辐射量有关，是非线性的。 平均寿命是个非常重要的参量，它表征复合的 下使用。 强弱， τ小表示复合快，τ大表示复合慢。