MEMS工艺(5表面硅加工技术).pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 作业 从加工尺度、使用材料、核心工艺等角度简述体硅工艺和表面工艺的各自特点和区别。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 多晶硅材料的主要特点 （4）多晶硅薄膜作为半导体材料可以像单晶硅那样通过生长、扩散或离子注入进行掺杂，形成N型或P型半导体，制成p-n结；可以采用硅平面工艺进行氧化、光刻、腐蚀等加工。 多晶硅材料的主要特点 （5）由于生长的膜厚可以较好的控制，与其他薄膜有良好的相容性，有利于制造多层膜结构，给器件设计带来较大的灵活性。 （6）生长工艺的进步使得多晶硅薄膜不仅可以大批量生长，而且可以大面积生长，因而成本低，易于扩大应用。 2）、多晶硅的淀积 方法： 低压化学气相淀积（LPCVD） 常压化学气相淀积（APCVD） 等离子体增强化学气相淀积（PECVD） 分子束淀积 多晶硅的淀积 对于表面微机械加工来说，最主要的加工方法是以硅烷（SiH4）为气源，在热壁炉反应器内淀积多晶硅的LPCVD技术。 典型的加工条件： 温度：580?C～650 ?C 压力：100 ～400mtorr(1Pa=7.50062×10－3torr) 气体：100％硅烷（ S