专题应用超导材料-公开课件（精选）.ppt

超导材料福建农林大学材料科学与工程系 超导材料主要内容 本节需掌握的重点 超导体两个基本特征：零电阻效应和迈斯纳效应； 超导体零电阻和完全抗磁性的原因； 超导体的三个临界条件； 超导体的两种基本类型； 超导体的主要应用。 1.4.1. 零电阻现象 超导零电阻现象的发现 迈斯纳效应的发现： 1933年德国物理学家迈斯纳发现在超导态下，超导体内部的磁场强度H总为零，即具有完全抗磁性，这种现象就称为迈斯纳效应。 完全抗磁性的原因 零电阻现象是超导现象的必要条件， 但是电阻为零叫理想导体≠超导体。 零电阻现象和完全抗磁性是超导体两 个最基本，而且互相独立的属性。 只有同时具有零电阻和完全抗磁性才 能称为超导体。 约瑟夫森预言 1962年，剑桥大学的博士后 在极薄绝缘层（厚度约为1nm）隔开的两个超导体断面处，电流可以穿过绝缘层。 只要电流不超过某一临界值，则电流穿过绝缘层时将不产生电压，该电流是没有电阻的，称为超导隧道电流。 超导隧道电流与库柏电子对相关，且电子对穿越势垒后仍保持为配对形式，这种不同于单电子隧道效应的新现象称为约瑟夫森效应。 温度T<临界温度Tc 三个性能指标，相互制约； 一般来说，指标越高越好。 超导体从常导态转变为超导态的温度；即电阻突然变为零时的温度。 由于组织结构不同，超导临界温度不是一个特定的数值，而是跨越一个温度区域；因此实际超导材料的临界温度用四个参数表征。 对于超导体，当外加磁场足够强时，会破坏其超导性； 破坏超导态所需的最小的磁场强度称为 超导临界磁场强度。 破坏超导态所需的最小电流密度; J=I/A,单位A/m2 超导临界电流与临界温度的关系： 第I类超导体只有一个临界磁场Hc； 当H<Hc时，超导态； 当H>Hc时，正常态。 第II类超导体有两个临界磁场 当H<Hc1时，零电阻且完全禁止磁场线进入, 迈斯纳态。 当 Hc1 < H< Hc2时，混合态。零电阻，磁场线部份穿过。 当H>Hc2时，正常态。 钒、铌、钽和大多数超导合金及超导化合物。 第II类超导体比第I类超导体有更高的临界参数。 1911年，Hg，Tc＝4.2K 1911-20年代，24种纯金属，(Nb，Tc＝9.13K) 1952, 硅化钒，Tc=17K 1957年，BCS理论 1960，第II类超导体铌锡合金 1973年，Nb3Ge，Tc＝23.2K 1987年，Y-Ba-Cu-O，Tc>90K，超过液氮温度77K 1993年，Hg-Ba-Ca-Cu-O，Tc=135K（高压下164K) 美国贝尔实验室采用快中子辐射氧化钇钡铜单晶体，使临界电流密度提高了100倍，达6×10５ A/cm2，美国马萨诸萨理工学院用在超导材料中掺入银等加热处理的方法，解决了材料的脆弱问题，使强度比超导陶瓷提高了10倍，适用于作输电线.我国则早已制成零电阻为83．7 K的超导材料和零电阻为77 K的超导薄膜. 超导输电电缆： 将超导电缆放于液氦冷却介质管道内，保证整条输电线路 在超导状态下运行。 超导电力传输的优点： 超导输电电缆比普通的地下电缆容量大25倍,电能消耗仅为所输送电能的万分之几。 传统输电需要高压，因而有升压，降压设备。用超导线就不需要升压降压设备。 重量轻、体积小，输 送大功率的超导传输线可铺设在地下管道内，从而省去了许多传输线的架设铁塔。 在超导体截面较小的线圈通以大电流，形成强磁场，这就是超导磁体。 用电需求在时间上是不平衡的，白天 晚上不一样。 最佳的解决办法就是有一种储存和调 节手段。然而，电力的储藏非常困难。 充电：合上开关S1，打开S2和S3时，超导线圈Ls充电； 储能：合上S2，打开S1，在电路2中就有一个持续电流； 放电：合上S3，打开S2，储存的电能就传输到外部负载。 5.8.6 冷子管和超导计算机 在1935年，产生了第一个这种类型的开关元件。 1956年巴克把这种装置命名为“冷子管”，并指出它可以用来开发超导计算机。 当时绕线冷子管的开关速度在10-5秒左右，功耗也较大，但与晶体管的第二代计算机相比，其优越性还是很明显的。 IBM公司发明的隧道冷子管具有极高的开关速度（约为10-12秒数量级，速度是半导体器件的百倍以上）和极低的功耗（只有半导体器件的千分之一左右），生产的逻辑器件能以惊人的速度执行“与”功能，从而为制造亚纳秒电子计算机提供了一条途径。 0 K: All motion ceases 100oC = 373 K 0oC = 273 K -135oC = 138 K Current High